隨著現(xiàn)在手機、平板等大儲存需求的日益增多，相關(guān)的芯片生產(chǎn)廠商，也在升級自身的產(chǎn)品線，比如Western Digital(西部數(shù)據(jù))今天推出了新一代iNAND嵌入式閃存芯片產(chǎn)品，分別支持UFS和eMMC兩種標(biāo)準(zhǔn)類型，均基于SanDisk的64層3D堆疊技術(shù)，容量為256GB。
單從性價比方面考慮，iNAND 7550支持eMMC5.1標(biāo)準(zhǔn)，連續(xù)寫入速度260MB/s，隨機讀取20K、寫入15K。這個表現(xiàn)力中規(guī)中矩。
為了滿足未來發(fā)展的5G網(wǎng)絡(luò)時代需求，據(jù)詳細數(shù)據(jù)顯示，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技術(shù)(小容量SLC做緩存)，連續(xù)寫入速度比當(dāng)下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s)，隨機讀取更是快了10倍。
大儲存是未來的發(fā)展趨勢，隨著更多廠商生產(chǎn)大儲存芯片，說不定手機廠商未來采購價也會呈現(xiàn)下跌趨勢，消費者也會獲得一些利益。
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