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大人,“十代”變了?INTEL I9 10900K測試報告

2020/5/21 12:19:06 來源:IT之家特約 作者:茶茶121 責編:阿迷
感謝IT之家網(wǎng)友 茶茶121 的線索投遞!

現(xiàn)在說起CPU總是會繞不開2017年,AMD銳龍發(fā)布的那一聲驚雷,自此之后大家都覺得CPU的時代變了。INTEL也開始一改過去的以不變應萬變的姿態(tài)開始積極更新產(chǎn)品的規(guī)格。而到了三年之后的今天,INTEL也已經(jīng)發(fā)布第十代的酷睿產(chǎn)品,那么這次的十代變了嗎?今天就帶來INTEL I9 10900K的測試報告。

CPU與主板平臺規(guī)格:

由于是新一代的產(chǎn)品,首先來看一下CPU的規(guī)格變化。這一次的一大重點就是CPU針腳從1151改為1200,這會導致正常情況下十代CPU主板與之前的CPU主板是不能互相兼容的。

INTEL這次的策略就是保證每一階CPU規(guī)格上都能有提升。I9變成了10核20線程,比上一代增加2核4線程;I7變成了8核16線程,比上一代增加8線程,相當于上一代的I9;I5變成了6核12線程,比上一代增加6線程,相當于八代的I7;I3變成了4核8線程,比上一代增加4線程,相當于七代的I7。

另外主頻上也有比較明顯的提高,I9 10900K單核5.3G,也是達到了INTEL從未有過的極值。

相比AMD的規(guī)格來說R7\R5\R3對I7\I5\I3核心規(guī)格上一致,而I9對R9則顯得還是差一些。頻率上則INTEL在各條產(chǎn)品線上都可以找到高過AMD的產(chǎn)品。

還有一點要鄭重提醒,INTEL還有一款I9 10900X是用在X299主板上的,千萬不要和I9 10900K搞混了。

至于制程嘛,還是14nm~。

接下來對比一下主板的規(guī)格,相比于CPU來說,主板的規(guī)格其實變化非常的小。只是增加了對2.5G有線網(wǎng)卡和WIFI 6的原生支持。

產(chǎn)品包裝與附件:

I9 10900K的包裝采用禮盒式包裝,內(nèi)部只有一顆CPU,不包含原裝散熱器。

接下來簡單對比一下CPU的外觀,第十代酷睿與第九代的整體尺寸是一樣的,但是頂蓋和防呆口都有明顯的區(qū)別。

從背面就可以看出來,LGA 1200和LGA 1151之間的差別就是在CPU中間部位額外增加了針腳。

對比一下兩者的PCB,可以很明顯的看到第十代酷睿的PCB會比第九代更厚一點,抗彎折能力會更好一點。

主板平臺介紹:

這次是新系列的CPU,主板也必須替換,所以來介紹一下新一代的主板產(chǎn)品,這次用到的是技嘉的Z490 AORUS MASTER。

主板的附件包含RGB延長線*2、溫度探頭*2、SATA 3.0數(shù)據(jù)線*4、噪音麥克風、WIFI天線、G Connector、一大張貼紙、說明書、質(zhì)保書、驅(qū)動光盤

把主板徹底拆掉,現(xiàn)在的高端主板裝甲可以素組基本已經(jīng)是基本操作了。

主板上的CPU底座就被換成了LGA 1200,使用起來還是完全一致的。

主板上依然是密集的針腳,裝機的時候還是要小心。

簡單介紹一下CPU的供電部分。

主板CPU外接供電為8+8,接插件有金屬罩增加強度。

主板的CPU供電核心部分為14相,PWM控制芯片為ISL69269IRZ是今年很主流的一個高端方案;輸入電容為6顆尼吉康固態(tài)電容16V、270微法;由于PWM芯片不能直接控制14相,所以主板背面有7顆driver芯片用于對應驅(qū)動14相供電;每項供電對應1顆MOS,型號為ISL99390,是一顆單相90A的高端DrMOS;電感為每相1顆封閉式電感;輸出電容為14顆尼吉康固態(tài)電容6.3V、560微法,另加6顆330微法的鉭電容。

核芯顯卡部分供電為1相,PWM控制芯片為ISL69269IRZ;每項供電對應1顆MOS,型號為SIC651A,是一顆單相50A的DrMOS;電感為每相1顆封閉式電感;輸出電容為1顆尼吉康固態(tài)電容6.3V、560微法。

在主板CPU底座背面也焊有5顆鉭電容,理論上可以加強CPU的高頻穩(wěn)定性。

CPU供電的散熱部分,可以看到采用的鰭片式的熱管散熱器,熱管換成了8mm加粗款。在主板正反面都貼有導熱墊,來加強供電的散熱。

主板CPU底座和顯卡插槽之間還有VCC部分的供電,相對于CPU核心部分就簡單不少,但是這部分一般功耗不會很大,所以也夠用了。

總體上來說供電部分方案是用了Z490普遍最高的方案,但是如果能做16相顯然就更完美了。

主板的內(nèi)存插槽為4*DDR4,對外宣稱是可以達到XMP5000。

內(nèi)存供電為1相,輸入電容為2顆尼吉康固態(tài)電容,560微法6.3V;供電MOS為一上兩下,上下橋均為安森美的4C06N;輸出電感為一顆封閉式電感;輸出電容為2顆尼吉康固態(tài)電容,560微法6.3V。

主板的PCI-E插槽就比較少,一共就三條長槽。分別是NA\X16\NA\NA\X8\NA\X4。這算是現(xiàn)在高端主板的發(fā)展趨勢,雖然扛著ATX的版型,但是擴展插槽倒是越來越少。

主板上的IDT6V4是支持PCI-E 4.0的PCI-E時鐘芯片,可以讓CPU外頻超頻變得更自由。

主板上的PI3EQX16是支持PCI-E 4.0的中繼芯片,PI3DBS是支持PCI-E 4.0的切換芯片。這樣在使用第十一代酷睿的時候,顯卡插槽也可以正常切換使用。

拆開主板正面的散熱片就可以看到三條M.2插槽,三條插槽都可以支持22110的規(guī)格。而且主板M.2底部也加了散熱片可以做到雙面散熱。靠CPU最近的那根插槽是可以直連CPU的,這算是為第十一代酷睿準備的彩蛋功能。

有一個比較明顯的缺點是主板上夾著X8插槽的兩個M.2散熱片是一體的,也就導致要拆裝這兩個M.2必須要拆顯卡。還是顯得有些不方便。

來看一下主板后窗的接口從圖中左起分別為Q-FLASH PLUS按鈕+CLEAN CMOS按鈕、WIFI天線接頭、USB 2.0*4、USB 3.0*2+HDMI、USB 3.1 A+C、USB 3.1*2+RJ45網(wǎng)線、3.5音頻*5+數(shù)字光纖。算是中規(guī)中矩的規(guī)格。

主板的音頻部分采用了相對復雜的方案,主芯片是REALTEK的ALC 1220,另外還增加了一顆ESS 9118 DAC芯片和1顆晶振用來提升整體音質(zhì)。音頻系統(tǒng)的方案并不是頂級的,但是符合高端的主流水平。

這次有線網(wǎng)卡有了很大的變化,型號為INTEL S0113L01,是一顆支持2.5千兆的高速網(wǎng)卡。不過目前可以確認這個系列的網(wǎng)卡會有兩個步進,舊步進的網(wǎng)卡芯片對部分2.5千兆路由器的兼容會有問題。不過這個問題一般都可以通過找主板廠商返修解決。

主板的無線網(wǎng)卡是INTEL AX201NGW,400系列主板WIFI 6的標配。

GL850S是用于轉(zhuǎn)接4個USB 2.0的USB HUB芯片。

主板后窗HDMI的電平轉(zhuǎn)芯片為ASM 1442K。

在靠近BIOS 芯片的地方可以找到一顆IT5702XQN128芯片,應該是用于實現(xiàn)無CPU刷新BIOS功能的專用芯片。

在SATA口后方可以看到用于切換M.2通道用的ASM 1480切換芯片和兩顆大容量的BIOS芯片。

最后來看一下主板上的上的一些插座??緾PU供電插座一側(cè)的角落里有CPU FAN+CPU OPT、RGB+ARB、開關按鍵、LED DEBUG燈。

在內(nèi)存插槽平行的地方有主板24PIN供電、前置USB 3.0、前置USB 3.1 TYPE-C。

靠芯片組這邊的角落圖中左起為主板DEBUG指示LED、SATA 3.0*6、雷電擴展卡插座。

與顯卡插槽平行的主板底部,靠芯片組這邊圖中左起為噪音偵測插座、重啟按鈕、SYS FAN*3、機箱前置面板插座。

靠顯卡插槽這邊圖中左起為前置音頻、LED DEMO、BIOS切換開關、RGB+ARGB、TPM、USB 2.0。

主板的SUPER IO芯片是IT8688E。

主板的RGB控制芯片則為IT8795E,算是比較常見的規(guī)格。

總體來說Z490 AORUS MASTER主板在整體設計上還是符合高端主板的定位。主板裝甲采用了ROG相同代工廠的方案,接口規(guī)格也比較完整。就是14相供電心理上會有點不爽,如果直接上16相會更好一些。

測試平臺介紹:

然后來看一下測試平臺。

內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實際運行頻率是3200C14。

中間會有搭配獨顯的測試,顯卡采用的是迪蘭恒進的VEGA 64水冷版。

SSD是三塊INTEL 535。240G用作系統(tǒng)盤,480G*2主要是拿來放測試游戲。

NVMe SSD測試用到的是INTEL 750 400G。

散熱器是EK的AIO 360 D-RGB,算是I9 10900K的起步配置。

硅脂是喬思伯的CTG-2。

電源是酷冷至尊的V1000。

測試平臺是Streacom的BC1。

產(chǎn)品性能測試:

簡單評測結(jié)論:

  • 這次的測試對比組是R9 3950X、R9 3900X、I9 10940X、I9 9900K、R7 3700X,100%標桿依然是I5 9400F。

  • 就CPU的綜合性能而言,對比AMD,I9 10900K將將超過R9 3900X約1%。主要是有賴于較高的單線程性能,同時在一些特定項目上有比較好的表現(xiàn),例如WINRAR和3DMARK的物理得分。相比上一代的I9 9900K,I9 10900K提升達到了17.9%,甚至超過了I9 10940X。

  • 而搭配獨顯的部分,I9 10900K相比I9 9900K提升了1.5%,成為了目前搭配獨顯性能最好的CPU。雖然說整體差異并不會很大。

  • 功耗(整機)上來看,I9 10900K的整體功耗比之前大了不少,待機功耗都會比I9 9900K高10W左右。滿載功耗至多會比I9 9900K高出40W。這體現(xiàn)了兩個方面,一方面,I9 10900K的功耗確實是相當驚人。但是另一方面也說明INTEL所做的薄芯片厚頂蓋的設計確實帶來了更好的散熱效果,在頂蓋尺寸不變的情況下,CPU的TDP極限又進一步提高了。

然后我們拆解成單線程和多線程來看。

單線程:得益于5.3G的睿頻頻率,I9 10900K成為了新一代的單核之王,對比AMD的R9 3900X可以高12.5%,相比上一代的I9 9900K提高4.2%。

多線程:多線程性能就不那么出彩了,對比AMD的R9 3900X要弱15.7%,相比上一代I9 9900K提高25.7%。

性能測試項目介紹:

對于有興趣進一步了解對比性能的童鞋,這邊會提供詳細的測試數(shù)據(jù)。如果不想看的話可以直接跳到最后的總結(jié)部分。

測試大致會分為以下一些部分:

  • CPU性能測試:包含系統(tǒng)帶寬、CPU理論性能、CPU基準測試軟件、CPU渲染測試軟件、3DMARK物理得分

  • 搭配獨顯測試:包含獨顯基準測試軟件、獨顯游戲測試、獨顯OpenGL基準

  • 搭配集顯測試:包含集顯基準測試軟件、集顯游戲測試、集顯OpenGL基準

  • 功耗測試:在獨顯平臺下進行功耗測量

CPU性能測試與分析:

系統(tǒng)帶寬測試,I9 10900K在內(nèi)存帶寬和L1\L2\L3緩存上都比I9 9900K有提升,所以WINRAR這種吃內(nèi)存的測試提升會比較明顯。

CPU理論性能測試,是用AIDA64的內(nèi)置工具進行的,I9 10900K的理論算力其實提升很大,相比I9 9900K提升超過了30%。

CPU性能測試,主要測試一些常用的CPU基準測試軟件,還會包括一些應用軟件和游戲中的CPU測試項目。這個環(huán)節(jié)會牽涉到不同負載環(huán)境的測試,也是最接近日常使用環(huán)境的測試。在這個環(huán)節(jié)中I9 10900K算是會占一些便宜,對比AMD的R9 3900X可以強2.4%,相比I9 9900K提升14.3%。

CPU渲染測試,測試的是CPU的渲染能力。測試會統(tǒng)計單線程和多線程的測試結(jié)果,所以這個環(huán)節(jié)一般會最接近CPU的綜合性能對比(單核全核基本各一半)。對比AMD的R9 3900X會弱4.4%,相比I9 9900K提升22.2%。

3D物理性能測試,測試的是3DMARK測試中的物理得分,這些主要與CPU有關,對游戲性能也會有少量的影響。I9 10900K在這里的優(yōu)勢是最大的,對比AMD的R9 3900X可以強6%,相比I9 9900K提升22.7%??雌饋鞩NTEL在3DMARK上被AMD打了之后,現(xiàn)在也在針對性的優(yōu)化。

CPU性能測試部分對比小節(jié):

CPU綜合統(tǒng)計來說I9 10900K基本就是可以和R9 3900X分個高下,但是離R9 3950X還是有距離的。

搭配獨顯測試:

顯卡為VEGA 64,十代在基準測試上開始重新找回場子,AMD暫時沒那么舒服了。

獨顯3D游戲測試,下文中會詳細分析。

分解到各個世代來看,I9 10900K的游戲性能提升主要體現(xiàn)在DX9和DX11游戲中,DX12游戲中性能沒有明顯的提升。

針對不同分辨率的測試,I9 10900K在1080P下提升頗為明顯,但是4K下也能看到是有優(yōu)勢的。所以搭配之后高性能顯卡,應該會有比表格中更顯著的性能差異。

獨顯OpenGL基準測試,OpenGL部分以SPEC viewperf 12.1和LuxMark為基準測試,這個測試是針對顯卡的專業(yè)運算測試,差距與CPU的延遲和單線程性能關聯(lián)度更高一些。所以可以看到I9 10900K是測試對比中表現(xiàn)最好的。

搭配獨顯測試小節(jié):

從測試結(jié)果來看,可以很明顯的看到I9 10900K在跑分優(yōu)化上是最為明顯的,消減了之前RYZEN 3的大幅優(yōu)勢。游戲性能上I9 10900K也有一定幅度的提升,完成了最強游戲CPU的交接工作。

磁盤性能測試:

磁盤測試部分用的是CrystalDiskMark 6,1G的數(shù)據(jù)文件跑9次,這樣基本可以排除測試誤差。測試的SSD分別是535 480G和750 400G,都是掛從盤。簡單科普一下這個測試里的概念,SATA接口和PCI-E通道都是可以從CPU或芯片組引出的(看CPU廠商怎么設計)。原則上會測試芯片組引出的SATA和PCI-E。

在磁盤性能上,I9 10900K也是做了比較明顯的優(yōu)化,特別是NVMe性能,對AMD可以小幅反超一點。

集顯性能測試:

這里簡單測試了一下I9 10900K的集顯性能,由于是萬年不變的HD630,所以集顯沒有提升。不過一般也就是個備胎,無所謂。

平臺功耗測試:

功耗測試只做了搭配獨顯的平臺測試,I9 10900K無論是待機還是滿載功耗都會明顯高于I9 9900K,待機功耗會高大約10W,滿載功耗最高會高大約40W。所以I9 10900K也成了目前消費級功耗最大的CPU。

詳細的統(tǒng)計數(shù)據(jù):

最后上一張CPU天梯圖供大家參考。性能部分僅對比與CPU有關的測試項目,并不包含游戲性能測試的結(jié)果。

由于2017年開始,系統(tǒng)、驅(qū)動、BIOS對CPU性能的影響非常巨大,所以這張表僅供指向性的參考。

簡單總結(jié):

關于CPU性能:

從CPU性能上來說,I9 10900K還是保持INTEL尚在競爭局面之內(nèi),避免被AMD徹底甩開。磁盤性能和WINRAR的優(yōu)化應該與之前漏洞門的硬件級修復有關。

關于搭配獨顯:

游戲性能上,算是給I9 10900K保留了一些顏面,進一步提高了游戲性能的上限。

關于功耗:

I9 10900K的功耗還是不出意外的高,不過好在CPU導熱效率有提升還是能撐得住。建議散熱器360一體式水冷起步,不建議使用風冷或更弱的一體式水冷。

總的來說INTEL的第十代酷睿消費級的CPU相比之前的發(fā)燒級來說還是好看一些,至少沒有被AMD徹底甩開。在散熱和架構上也有所改善,說完全是九代的馬甲也是有失公允的。不過I9 10900K將將打平R9 3900X這個事實顯然也是揭示了為什么INTEL目前的時間線上,第十代酷睿只有半年的壽命。因為AMD在大約一個季度之后就會發(fā)布ZEN 3新架構的CPU,也就是說屆時R9的入門產(chǎn)品R9 4900X就可以領先I9 10900K至少15%。所以INTEL想要逆天改命,還任重道遠。

----感謝閱讀----

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