2021 年 4 月 25 日，近日兆易創(chuàng)新發(fā)布了 2020 年年度報(bào)告。報(bào)告中可以看出兆易創(chuàng)新的主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率在降低、在境外地區(qū)的主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率也在降低。
而兆易創(chuàng)新則表示毛利率下降主要是受 DRAM 產(chǎn)品業(yè)務(wù)毛利率低的影響。
兆易創(chuàng)新宣稱自有品牌 DRAM 產(chǎn)品預(yù)計(jì) 2021 年上半年推出，主要面向消費(fèi)類、工業(yè)控制類及車規(guī)等利基市場(chǎng)。那么兆易創(chuàng)新能否靠此次推出的 DRAM 產(chǎn)品改變毛利率下降的局面呢？
筆者認(rèn)為不行：
在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新如果依靠 NOR Flash 提升毛利率效果有限，而目前 NAND Flash 難以與大廠抗衡，只能把希望放在 DRAM 產(chǎn)品上。
在 DRAM 產(chǎn)品方面，兆易創(chuàng)新 目前是一個(gè)“代理商”的角色，出售的是合肥長(zhǎng)鑫的 DRAM。在芯片行業(yè)當(dāng)“代理商”毛利率低。
根據(jù)公告可以推測(cè)，今年兆易創(chuàng)新沒打算制造自己設(shè)計(jì)的 DRAM 芯片。
如果今年不能推出自己設(shè)計(jì)的 DRAM 芯片，“貼牌”或者“買芯片做模組”毛利率也不是很高，整體毛利率很難提升。
世界第三的 NOR Flash 廠商 兆易創(chuàng)新
2020 年第一季度，旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新在 NOR Flash 全球市場(chǎng)占有率排名前三，市場(chǎng)份額分別為 26.2%、24.5%、18.8%。
兆易創(chuàng)新的現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局分為存儲(chǔ)（Flash、DRAM）、MCU 和傳感器，其中存儲(chǔ)芯片營(yíng)收占比最高。而 NOR Flash 就屬于一種存儲(chǔ)芯片。
▲數(shù)據(jù)來自網(wǎng)絡(luò)
NOR Flash 的優(yōu)勢(shì)：應(yīng)用范圍非常廣，比如汽車電子、IoT、人工智能、路由器、機(jī)頂盒、手機(jī)、PC、VR、5G 等。
NOR Flash 的劣勢(shì)：?jiǎn)蝺r(jià)低，一個(gè)一般也就幾塊錢。而且一般情況下，一個(gè)設(shè)備也就用一塊 NOR Flash。在使用數(shù)量少和單價(jià)低的共同影響下，NOR Flash 的市場(chǎng)價(jià)值比起 NAND 之類的存儲(chǔ)芯片明顯小很多，屬于存儲(chǔ)芯片行業(yè)的小眾市場(chǎng)。
▲一款兆易創(chuàng)新 8Mb NOR Flash 單價(jià) 3.07 元
以業(yè)界主流使用的 8MB NOR Flash 為例，售價(jià)僅為 3 元左右。對(duì)于很多數(shù)碼設(shè)備來說這樣的價(jià)格占總成本中的比重并不高。也因此 NOR Flash 看似參與到了很多行業(yè)中，但在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中的占比遠(yuǎn)低于 DRAM 和 NAND Flash。
因此如果想靠 NOR Flash 拉升毛利率，作用十分有限。
難以抗衡大廠的 NAND Flash 業(yè)務(wù)
兆易創(chuàng)新的 NAND Flash 產(chǎn)品主要為 SLC NAND，在 NAND Flash 產(chǎn)品方面，目前 SLC NAND 主流工藝節(jié)點(diǎn)在 19nm-38nm，兆易創(chuàng)新的成熟工藝節(jié)點(diǎn)為 38nm，同時(shí) 24nm 工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前正在量產(chǎn)的產(chǎn)品容量從 1Gb 至 8Gb 覆蓋主流容量范圍。
▲美光 SLC NAND
但是，單顆 NAND 如果容量只在 8Gb 的話，對(duì)于大容量存儲(chǔ)還是不太夠的。以美光（Micron）的 SLC NAND 為例，美光提供的 SLC NAND 容量從 1Gb 至 256Gb，這顯然是大于兆易創(chuàng)新的 1Gb 至 8Gb。
除了大容量存儲(chǔ)，其實(shí)還是有一些小容量存儲(chǔ)使用 NAND 的場(chǎng)景，在這些場(chǎng)景下兆易創(chuàng)新的 NAND 還是可以發(fā)揮優(yōu)勢(shì)的。但總體來說 NAND 市場(chǎng)還是屬于像美光、海力士、三星這樣大廠的天下。
自研 DRAM 2021 年未必會(huì)出現(xiàn)
兆易創(chuàng)新目前在 DRAM 業(yè)務(wù)方面是一個(gè)“代理商”。兆易創(chuàng)新目前銷售的 DRAM 是合肥長(zhǎng)鑫的，兆易創(chuàng)新從 2020 年開始銷售合肥長(zhǎng)鑫 DRAM 產(chǎn)品。
早在 2020 年 3 月兆易創(chuàng)新就與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及其各自子公司簽署《框架采購(gòu)協(xié)議》、《代工服務(wù)協(xié)議》及《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺(tái)合作協(xié)議》日常交易框架協(xié)議。
《框架采購(gòu)協(xié)議》就是指兆易創(chuàng)新向合肥長(zhǎng)鑫 DRAM 采購(gòu) DRAM 產(chǎn)品。而《代工服務(wù)協(xié)議》則是指合肥長(zhǎng)鑫向兆易創(chuàng)新提供代工服務(wù)。
兆易創(chuàng)新是一個(gè)無廠模式（Fabless）運(yùn)營(yíng)的芯片公司，無廠模式簡(jiǎn)單來說就是只管芯片設(shè)計(jì)，不管芯片制造的公司。因此兆易創(chuàng)新想要生產(chǎn)任何芯片都需要找晶圓廠代工。
而此次簽署的《代工服務(wù)協(xié)議》就是為了以后自研 DRAM 設(shè)計(jì)完成之后找合肥長(zhǎng)鑫進(jìn)行代工生產(chǎn)。而在之后的補(bǔ)充協(xié)議中又將這三大協(xié)議的有效期延展到了 2030 年，可以據(jù)此推測(cè)至少近幾年內(nèi)兆易創(chuàng)新如果想制造 DRAM 都會(huì)找長(zhǎng)鑫代工了。
那么為什么說兆易創(chuàng)新自研的 DRAM 2021 年未必會(huì)出現(xiàn)呢？
▲出自兆易創(chuàng)新 2020 年 3 月的公告
公告中顯示，在 2020 年預(yù)計(jì)接受代工服務(wù)涉及的金額為 0，也就是說 2020 年兆易創(chuàng)新并不打算讓合肥長(zhǎng)鑫代工生產(chǎn)芯片。在后續(xù)的投資者關(guān)系活動(dòng)中的回答的內(nèi)容也證明了這點(diǎn)。
在 2020 年 3 月的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中我們可以找到原因。在其中一條回答中稱“因?yàn)楣镜?DRAM 產(chǎn)品還沒有研發(fā)出來，所以代工業(yè)務(wù) 2020 年暫時(shí)無金額?！?/p>
在 2021 年 2 月，兆易創(chuàng)新發(fā)布了《關(guān)于擬簽署框架采購(gòu)協(xié)議及預(yù)計(jì) 2021 年度日常關(guān)聯(lián)交易額度的公告》。
▲出自兆易創(chuàng)新 2021 年 2 月的公告
這個(gè)公告主要就是為了公示與長(zhǎng)鑫日常關(guān)聯(lián)交易的預(yù)計(jì)金額，可能有些人也注意到了，此次公示中原來的“三大協(xié)議”少了一個(gè)，而且少的就是之前金額為 0 的《代工服務(wù)協(xié)議》。
為什么會(huì)少一個(gè)《代工服務(wù)協(xié)議》的預(yù)算呢？如果說 2021 年這個(gè)協(xié)議的預(yù)算也為 0，那么沒有這方面的預(yù)算確實(shí)可以理解。如果有這方面的預(yù)算，但是不公示，這種可能性就比較小了。
那么如果《代工服務(wù)協(xié)議》今年的預(yù)算真為 0，那么意味著什么呢？
兆易創(chuàng)新今年沒打算讓長(zhǎng)鑫“代工”生產(chǎn) DRAM 芯片。
這不免讓疑惑，難道今年兆易創(chuàng)新自研的 DRAM 不生產(chǎn)了嗎？而且上年實(shí)際從長(zhǎng)鑫采購(gòu)的 DRAM 產(chǎn)品金額為 0.54 億美元，今年就直接預(yù)計(jì) 3 億美元。兆易創(chuàng)新給出的理由為“市場(chǎng)需求旺盛，市場(chǎng)開拓空間進(jìn)一步提升，公司備貨水平相應(yīng)提高”。不過今年如果能如期推出自己的 DRAM 產(chǎn)品，為什么還要去找長(zhǎng)鑫加大備貨量呢？賣自己的產(chǎn)品，毛利率還能高一點(diǎn)，不香嗎？因此兆易創(chuàng)新自研 DRAM 2021 年未必會(huì)出現(xiàn)。
不過有些細(xì)心的人可能會(huì)發(fā)現(xiàn)，兆易創(chuàng)新基本沒怎么提過“自研”的事。兆易創(chuàng)新無論是在年報(bào)上還是在投資者關(guān)系活動(dòng)上，所用的表述都是“自有品牌”。“預(yù)計(jì)將于 2021 年上半年推出第一顆自有品牌的 DRAM 產(chǎn)品”。
“自有品牌”范圍可就大了，除了“自研”以外，還可以買長(zhǎng)鑫的芯片自己做模組，或者買長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品“貼牌”出售。
如果是買長(zhǎng)鑫的芯片自己做模組，買芯片的交易額走的是“采購(gòu) Dram 產(chǎn)品”（就預(yù)算大幅上漲的那個(gè)），而且做出來的模組確實(shí)可以算“自有品牌的 DRAM 產(chǎn)品”。
能破局嗎？
一般來說在芯片行業(yè)，代售其它廠家的芯片毛利率始終是不會(huì)高的。就像現(xiàn)在兆易創(chuàng)新代售長(zhǎng)鑫的 DRAM。而提高毛利率的最簡(jiǎn)單途徑，就是自研。如果說 2021 年上半年推出的 DRAM 產(chǎn)品是自研的，比如兆易創(chuàng)新設(shè)計(jì)，長(zhǎng)鑫制造。那么毛利率肯定會(huì)提升。但如果只是貼牌或者做模組的話，那毛利率可能就會(huì)表現(xiàn)得比較一般了。
補(bǔ)充資料：存儲(chǔ)芯片
作為補(bǔ)充說明，我們來聊聊存儲(chǔ)芯片是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。在遠(yuǎn)古時(shí)期，人們可以通過結(jié)繩記事的方式記錄信息。而在現(xiàn)代，晶體管出現(xiàn)了，人們可以把大量數(shù)據(jù)存在芯片里了。
我們來假設(shè)一下，在結(jié)繩記事的時(shí)代，如果繩子的一個(gè)地方打一個(gè)結(jié)，就代表早上吃過飯了。如果這個(gè)地方?jīng)]有結(jié)，那么就說明早上沒吃飯。那么“早上吃沒吃過飯”這個(gè)信息就通過簡(jiǎn)單的一個(gè)結(jié)記錄了下來。
而到了現(xiàn)代，數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)很多是用“0”和“1”來構(gòu)成的。那么如何記錄下 0 和 1 呢？這時(shí)候我們肯定不能在芯片里像結(jié)繩記事那樣打結(jié)，但有類似的方式記錄，比如電壓。電壓高時(shí)可以記做 1，電壓低時(shí)可以記做 0。
而對(duì)應(yīng)芯片的存儲(chǔ)單元也會(huì)被設(shè)計(jì)成能夠存儲(chǔ)高電壓或者低電壓信息的結(jié)構(gòu)，就像結(jié)繩記事里的結(jié)。
▲一種存儲(chǔ)單元
在如圖所示的結(jié)構(gòu)中，如果我們把電荷放在存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電容器中，這就可以使晶體管導(dǎo)電，電荷傳至位線，使電壓上升。這時(shí)就是高電壓狀態(tài)，表示數(shù)據(jù)為“1”。
注：除了電壓以外還可以通過：磁、電阻等介質(zhì)來存儲(chǔ)信息。
而根據(jù)存儲(chǔ)的具體方式不同，存儲(chǔ)芯片又能分成很多種類。NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 是三種不同的存儲(chǔ)芯片，其中 NOR Flash、NAND Flash 屬于非易失性存儲(chǔ)芯片，DRAM 屬于易失性存儲(chǔ)芯片。
簡(jiǎn)單來說兩者的區(qū)別在于斷電之后能否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)斷電之后不能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)只能臨時(shí)存放。以電腦上的內(nèi)存條為例，內(nèi)存條上的存儲(chǔ)顆粒就屬于 DRAM。
▲DDR4 內(nèi)存條 截取自金士頓官網(wǎng)
而非易失性存儲(chǔ)的特點(diǎn)就是斷電之后依舊能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期存儲(chǔ)。以電腦上的固態(tài)硬盤為例，固態(tài)硬盤上的存儲(chǔ)顆粒大多為 NAND Flash。
▲UV500 SATA 固態(tài)硬盤（mSATA）截取自金士頓官網(wǎng)
NAND Flash 可以再細(xì)分成 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我們平時(shí)說買一塊 TLC 的固態(tài)，TLC 指的就是固態(tài)硬盤所用的 NAND Flash 類型為 TLC。
另一種非易失性存儲(chǔ)是 NOR Flash ，NOR Flash 一次讀寫一個(gè)字或字節(jié)的數(shù)據(jù)，因此能夠?qū)Ω鞯刂穲?zhí)行隨機(jī)存取。而 NAND Flash 芯片的尺寸比 NOR Flash 小，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，使存儲(chǔ)容量更大，且制造成本更低。因此 NAND Flash 已成為大容量存儲(chǔ)設(shè)備的主流選擇，除了前文提到的固態(tài)硬盤，還有 U 盤、SD 卡等。而 NOR Flash 則一般用于存儲(chǔ)一些小數(shù)據(jù)，比如配置信息。電腦主板中的 BIOS 信息就會(huì)存儲(chǔ)在 NOR Flash 中。
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