IT之家 5 月 20 日消息 IEEE 里程碑牌匾是對單片集成大功率器件、精確模擬功能和復(fù)雜數(shù)字控制邏輯的開創(chuàng)性研究成果的認(rèn)可（芯片銷量達(dá) 400 億）。
近日意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱 ST；紐約證券交易所代碼：STM) 宣布，電氣與電子工程師協(xié)會 (IEEE) 授予意法半導(dǎo)體 IEEE 里程碑獎，表彰公司在超級集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。意法半導(dǎo)體的 BCD 技術(shù)可以制造單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS 工藝高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率 DMOS 晶體管，適合復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用。多年來，BCD 工藝技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用取得了顛覆性發(fā)展。
在意法半導(dǎo)體 Agrate 工廠舉行的現(xiàn)場 / 線上揭牌儀式上，IEEE 意大利分部人道主義活動委員會協(xié)調(diào)員兼前任秘書 Giambattista Gruosso 和意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 共同揭開了 IEEE 里程碑牌匾。該牌匾將放置在意法半導(dǎo)體在意大利米蘭市近郊的兩個曾經(jīng)承擔(dān)多硅柵多功率 BCD 開發(fā)工作的意大利布里安札的 Agrate 工廠和意大利米蘭 Castelletto 工廠的大門口。牌匾上寫著：
IEEE 里程碑
單片多硅技術(shù)，1985 年
SGS（現(xiàn)為意法半導(dǎo)體）率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS 晶體管和 DMOS 晶體管 (BCD) 的超級集成硅柵極工藝，解決復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用設(shè)計難題。首個 BCD 超級集成電路 L6202 可以控制最高 60V-5A 的功率，開關(guān)頻率 300kHz。隨后的汽車、計算機(jī)和工業(yè)自動化廣泛采用了這項工藝技術(shù)，讓芯片設(shè)計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
IEEE 于 1983 年建立了里程碑計劃，以表彰在獨特產(chǎn)品、服務(wù)、有影響力的論文和專利中造福人類的技術(shù)創(chuàng)新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是 25 年前在 IEEE 代表的技術(shù)領(lǐng)域產(chǎn)生的至少具有地區(qū)影響力的重要技術(shù)成就。目前，IEEE 在全球范圍內(nèi)批準(zhǔn)并頒發(fā)了大約 220 塊 IEEE 里程碑牌匾。
在上個世紀(jì)八十年代初期，意法半導(dǎo)體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應(yīng)用問題，并第首先在一顆單芯片上集成異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管。工程師著眼于多個細(xì)分市場的客戶需求，著力于在數(shù)字邏輯的控制下提供數(shù)百瓦的電力，而且控制邏輯技術(shù)遵循摩爾定律。目標(biāo)器件還將支持精確的模擬功能，并最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。
這些研發(fā)活動最終產(chǎn)生了一種新的集成硅柵技術(shù)。這種被稱為 BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術(shù)利用復(fù)雜的互連方法在單個芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復(fù)雜 CMOS 邏輯和多個 DMOS 功率晶體管。BCD 首個芯片是 L6202 電動機(jī)全橋驅(qū)動器，工作電壓 60V，電流 1.5A，開關(guān)頻率 300kHz，達(dá)到所有設(shè)計目標(biāo)。這個新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
從推出 BCD 工藝至今，意法半導(dǎo)體已經(jīng)售出 400 多億顆硅柵多功率 BCD 器件 / 芯片，第十代 BCD 技術(shù)即將開始投產(chǎn)。在歐洲和亞洲，意法半導(dǎo)體前后工序制造工廠的這項 BCD 技術(shù)廣泛用于汽車子系統(tǒng)、智能手機(jī)、家用電器、音頻放大器、硬盤、電源、打印機(jī)、微型投影儀、照明、醫(yī)療設(shè)備、電動機(jī)、調(diào)制解調(diào)器、顯示器等。
意法半導(dǎo)體總裁、首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示：“在 80 年代初，智能電源還是一個獨樹一幟的概念，我們的一個有遠(yuǎn)見和眼光的天才技術(shù)團(tuán)隊認(rèn)識到智能電源的價值，創(chuàng)造了一項非凡成就，將雙極晶體管的高精度功能與 CMOS 數(shù)字控制和 DMOS 的高功率整合成一顆芯片。到現(xiàn)在，已經(jīng)過去 35 年并經(jīng)歷了 9 次技術(shù)迭代，我們產(chǎn)出 500 萬片晶圓，售出 400 億顆芯片 – 僅去年一年就售出近 30 億顆芯片。能夠得到這一 IEEE 里程碑匾額意味著 ST 的 BCD 技術(shù)將被寫進(jìn)推進(jìn)人類發(fā)展的科技史冊，對此，我們的自豪無以言表。”
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