IT之家 9 月 3 日消息 市調(diào)機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢?cè)诮袢瞻l(fā)布文章稱，2021 年第三代半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁，其中 GaN （氮化鎵）功率元件全年?duì)I收將達(dá) 8300 萬美元，同比增長(zhǎng) 73%，增幅最高，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 8.5 億美元，2020-2025 年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 78%。
報(bào)告進(jìn)一步指出，應(yīng)用端來看，GaN 功率元件主要應(yīng)用于消費(fèi)性產(chǎn)品，消費(fèi)電子（60%）、新能源車（20%）、通訊及數(shù)據(jù)中心（15%）為前三大應(yīng)用領(lǐng)域。據(jù)該機(jī)構(gòu)調(diào)查，截至目前已有 10 家手機(jī) OEM 廠商推出 18 款以上搭載快充的手機(jī)，并且筆記本電腦廠商也有意跟進(jìn)。
SiC 功率元件方面，TrendForce 預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模至 2025 年將達(dá) 33.9 億美元，2020-2025 年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá) 38%，新能源車（61%）、光伏及儲(chǔ)能（13%）、充電樁（9%）為前三大應(yīng)用領(lǐng)域。
報(bào)告指出，GaN 及 SiC 襯底價(jià)格相較傳統(tǒng) 8 英寸、12 英寸 Si 襯底高出 5-20 倍不等，目前產(chǎn)能仍集中于美國(guó)科銳及貳陸、日本羅姆、歐洲意法半導(dǎo)體等 IDM，中國(guó)廠商如山東天岳及天科合達(dá)等正在加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
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