近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得進展。
中國科學院消息顯示，微電子所研究員韋亞一課題組與北京理工大學教授馬旭課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進型掩模吸收層圖形的優(yōu)化算法。
據介紹，該算法采用基于光刻圖像歸一化對數斜率和圖形邊緣誤差為基礎的評價函數，采用自適應編碼和逐次逼近的修正策略，獲得了更高的修正效率和補償精度。算法的有效性通過對比不同掩?；迦毕莸木匦谓佑|孔修正前后的光刻空間像進行了測試和評估，結果表明，該方法能有效地抑制掩模基板缺陷的影響，提高光刻成像結果的保真度，并且具有較高的收斂效率和掩?？芍圃煨?。
值得一提的是，該項研究得到國家自然科學基金、國家重點研究開發(fā)計劃、北京市自然科學基金、中科院等項目資助。
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