日前，臺積電董事長劉德音在出席活動時表示，美光的存儲技術已經超越三星，引來臺積電與美光加深合作的猜測。
目前，在 NAND Flash 領域，美光確有后來居上的態(tài)勢，美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開始大量生產，但三星目前仍停留在 128 層。
在 DRAM 技術方面，美光原落后三星，但如今追趕速度加快。今年第一季已領先三星、SK 海力士導入 1α 制程量產，更預計搶先在 2022 年推進到 1β 制程。臺媒表示，美光與三星的存儲龍頭之爭，未來幾年將很有看頭。
在代工方面，三星一直是臺積電的最大競爭對手，但在存儲方面，三星擁有優(yōu)勢，以至于一些業(yè)內人士認為，如果三星能夠在代工過程中充分整合存儲優(yōu)勢，將會在與臺積電的對抗中保持競爭力。
正是基于此，臺積電似乎正在謀求同美光的深度合作。
報道分析指出，11 月初剛從美光副總裁位置卸任的徐國晉，閃電加盟臺積電，負責先進封裝測試研發(fā)，未來將推動應用處理器與存儲走向 3D 堆疊的異構整合。如此高階層的主管進行交流，顯示臺積電與美光的合作將進入一個新時代，而美光也將成為臺積電大同盟中一個重要的伙伴。
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