據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，在 12 月 15 日于日本東京都內(nèi)開幕的半導(dǎo)體展會“Semicon Japan”上，臺積電（TSMC）和美國英特爾的高管發(fā)表演講，預(yù)測稱 3D 化將帶動半導(dǎo)體性能提升。著眼新制造技術(shù)的開發(fā)，設(shè)備和材料廠商將發(fā)揮更加重要的作用。
“在 3D 封裝生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建上，基板、封裝等設(shè)備和材料將越來越重要”，在日本茨城縣筑波市設(shè)置了研發(fā)基地的臺積電總監(jiān) Chris Chen 這樣強(qiáng)調(diào)。3D 化是在同一基板上集成更多芯片的技術(shù)。該基地將開發(fā)用樹脂等封裝半導(dǎo)體并將其配備在基板上的技術(shù)。
以臺積電為代表的半導(dǎo)體大企業(yè)之所以大力研發(fā) 3D 封裝技術(shù)，是因為僅靠傳統(tǒng)的技術(shù)開發(fā)，已經(jīng)難以滿足以智能手機(jī)為代表的最終產(chǎn)品所要求的高性能。
此前對半導(dǎo)體性能提高起到重要作用的是縮小電子電路面積的“微細(xì)化”技術(shù)。但目前電路線寬已經(jīng)微細(xì)化至幾納米，開發(fā)難度越來越高。因此，除了在一個芯片上集成微小電路之外，在同一基板上集成更多芯片的技術(shù)也成為關(guān)鍵。
當(dāng)天發(fā)表演講的英特爾高管 Peng Bai 表示“封裝技術(shù)的升級換代是發(fā)揮摩爾定律性能的重要因素”。呼吁日本的設(shè)備和材料廠商加緊投資并與英特爾展開合作。
值得一提的是，AMD 已成為 3D 封裝先鋒。今年 11 月，超微 (AMD-US) 首顆基于 3D Chiplet 技術(shù)的資料中心 CPU 正式亮相，藉由臺積電 (2330-TW) 先進(jìn)封裝制程，擊敗英特爾 (INTC-US) 贏得 Meta (FB-US) 訂單，業(yè)界傳出，此次先進(jìn)封裝制程除了前端繼續(xù)采用與晶圓制程相近的設(shè)備外，濕制程階段則由弘塑 (3131-TW)、辛耘 (3583-TW) 分別與信纮科 (6667-TW) 搭配，組成套裝設(shè)備，直接供應(yīng)臺積電，扮演臺灣在地供應(yīng)鏈要角。
此外，日本首相岸田文雄在本次會議上發(fā)表視頻致辭表示，為了加強(qiáng)日本國內(nèi)的半導(dǎo)體制造體制，“（日本）政府和民間將實施合計超過 1 萬 4000 億日元的大膽投資”。
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