NAND 閃存廠商都準備在 2022 年底到 2023 年期間推出 200 層以上的芯片產(chǎn)品，這是行業(yè)向更高密度的 3D NAND 閃存過渡的里程碑。
據(jù)《電子時報》援引消息人士稱，在這些供應商中，三星電子和美光科技可能是首批開始批量生產(chǎn) 200 層以上 3D NAND 閃存芯片的廠商。
該人士表示，三星在韓國平澤的新工廠于 2021 年下半年開始生產(chǎn)，并將在今年提高 176 層 3D NAND 芯片的產(chǎn)量。過渡到 176 層 3D NAND 閃存制造，預計將使三星新工廠的總產(chǎn)量在 2022 年提高到每月 5 萬個晶圓。
此外，三星還計劃在中國西安工廠擴大 128 層 3D NAND 芯片的產(chǎn)量。目前，該工廠正在建設(shè)第二期工廠，每月可生產(chǎn) 13 萬至 14 萬片晶圓。第一期工廠的月均生產(chǎn)量為 12 萬個。
該消息人士認為，三星西安工廠將是決定其定價策略的關(guān)鍵，因為該工廠產(chǎn)量的大幅增加將有助于大幅降低供應商的整體生產(chǎn)成本。三星在晶圓廠的產(chǎn)量增加一倍以上的能力，也將為其未來的市場領(lǐng)導地位奠定基礎(chǔ)。
此外，三星決定將其雙層技術(shù)整合到其 176 層 3D NAND 制造工藝中，可以加速其向 200 層以上一代的過渡，并有助于擴大其相對于競爭對手的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
與此同時，據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，鎧俠可能成為日本政府 68 億美元半導體投資計劃的受益者之一。政府的補貼可能會幫助鎧俠在巖手縣的北上進行擴建項目，在那里將建立一個新的 K2 工廠。鎧俠在該地有一家 3D NAND 閃存工廠 K1。
鎧俠尚未披露其向 200 層以上 3D NAND 工藝生產(chǎn)過渡的計劃，但已宣布其與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合開發(fā)的 162 層 3D NAND。市場觀察人士預計，鎧俠將在 2022 年至 2023 年期間將 162 層 3D NAND 作為其主流制造工藝。
另外據(jù)報道，英特爾在其 3D NAND 閃存制造中采用了雙棧的方法，消息人士稱，該公司到 2023 年將推進到 196 層。
而美光早在 2022 年 1 月就宣布已開始批量出貨其宣稱業(yè)界首款 176 層 QLC NAND SSD 硬盤。公司此前表示，它將努力在整個行業(yè)的利潤池中獲得更大的份額，而非增長其在行業(yè)產(chǎn)量中的份額。
盡管進入 NAND 閃存市場較晚，但長江存儲在提高 128 層 3D NAND 閃存的生產(chǎn)收益率方面取得了進展。據(jù)中國大陸業(yè)內(nèi)消息人士稱，長江存儲已將 64 層 3D NAND 閃存制造的收益率提高到成熟水平。
消息人士稱，長江存儲有望在 2022 年上半年實現(xiàn)月產(chǎn)量增至 10 萬片的目標。這家芯片制造商正努力進入中國一線品牌供應鏈，并將其目標市場擴大到包括手機和個人電腦應用。
據(jù) chinflashmarket 預測，2020-2025 年，全球 NAND 閃存市場將以 30% 的復合年增長率增長，而數(shù)據(jù)中心市場在未來五年內(nèi)將以 39% 的復合年增長率增長。
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