中微公司在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司 2021 年在市場(chǎng)拓展、產(chǎn)品研發(fā)和財(cái)務(wù)表現(xiàn)等方面均進(jìn)展不俗。其中，公司產(chǎn)品在關(guān)鍵客戶(hù)市場(chǎng)的接受度和銷(xiāo)售額穩(wěn)步提升，高端工藝研發(fā)進(jìn)展順利，公司新簽訂單金額同比增長(zhǎng) 90.5% 達(dá) 41.3 億元，其中以刻蝕產(chǎn)品為主。
據(jù)悉，中微公司 2021 年?duì)I業(yè)收入 31.08 億元，其中刻蝕設(shè)備收入為 20.04 億元，占收入比例約為 64.48%；MOCVD 設(shè)備收入為 5.03 億元，占收入比例約為 16.18%。
關(guān)于產(chǎn)品交期方面，中微公司表示，公司科學(xué)管理供應(yīng)廠商，公司的半導(dǎo)體刻蝕產(chǎn)品、MOCVD 設(shè)備在 2021 年保持準(zhǔn)時(shí)交付。公司目前刻蝕設(shè)備交期較過(guò)去有所延長(zhǎng)。
中微公司表示，公司目前已經(jīng)組建團(tuán)隊(duì)在開(kāi)發(fā) LPCVD 設(shè)備和 EPI 設(shè)備，研發(fā)進(jìn)展按計(jì)劃進(jìn)行中，同時(shí)公司將在適當(dāng)時(shí)機(jī)通過(guò)并購(gòu)等外延式成長(zhǎng)途徑擴(kuò)大產(chǎn)品和市場(chǎng)覆蓋。
MOCVD 毛利率提升幅度大主要系，新的產(chǎn)品型號(hào) Prismo UniMax?主要針對(duì) Mini-LED 設(shè)計(jì)。性能、復(fù)雜性提高很多，提供更多的價(jià)值給用戶(hù)，所以毛利率有明顯增長(zhǎng)。
Mini-LED 市場(chǎng)前景方面，中微公司指出，Mini-LED 作為一種新興技術(shù)備受關(guān)注。Mini-LED 具有高亮度、精確的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升顯示品質(zhì)。2021 年以來(lái)，Mini-LED 在電視機(jī)領(lǐng)域取得了良好應(yīng)用，在顯示器、筆記本、平板等領(lǐng)域，Mini-LED 產(chǎn)品也不斷誕生并開(kāi)始批量出貨。預(yù)計(jì)未來(lái)公司 MOCVD 設(shè)備的銷(xiāo)售也將以 Mini Led（背光領(lǐng)域）和 Micro LED（直顯領(lǐng)域）設(shè)備為主。
有關(guān)南昌基地和臨港基地的建設(shè)緊張情況，中微公司稱(chēng)，公司南昌基地和臨港基地建設(shè)進(jìn)展按照公司既定計(jì)劃正常進(jìn)行中。其中南昌基地目前廠內(nèi)主要道路已施工完畢，各主要單位建筑均已封頂。臨港產(chǎn)業(yè)化基地于 2021 年 6 月 20 日舉行開(kāi)工儀式，規(guī)劃總建筑面積約 18 萬(wàn)平方米，現(xiàn)已封頂。
有關(guān)先進(jìn)制程的刻蝕裝備上大致情況，中微公司表示，公司積極關(guān)注下游市場(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃并努力爭(zhēng)取各種可能的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，公司的刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)主要客戶(hù)端市場(chǎng)占有率不斷提升。在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開(kāi)發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶(hù) 65 納米到 5 納米等先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線上；同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開(kāi)發(fā)出小于 5 納米刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的批量訂單。
公司目前正在配合客戶(hù)需求，開(kāi)發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于 64 層和 128 層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開(kāi)發(fā)新一代能夠涵蓋 128 層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。
此外，公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶(hù)的技術(shù)發(fā)展需求，正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足 5 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 128 層以上的 3D NAND 芯片等產(chǎn)品的 ICP 刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的 ICP 刻蝕設(shè)備的研發(fā)。
據(jù)了解，目前中微公司產(chǎn)品有部分零部件需要進(jìn)口，公司采取多廠商策略保障零部件及時(shí)供應(yīng)。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。