韓國頭部代工廠 Key Foundry 的 180nm 高壓 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝已開始進行大規(guī)模生產(chǎn)，并計劃在今年晚些時候生產(chǎn) 200V 器件。
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件，1985 年由意法半導體率先研制成功。隨著集成電路工藝的進一步發(fā)展，BCD 工藝已經(jīng)成為 PIC 的主流制造技術(shù)。
據(jù) eeNews 報道，從 Magnachip 剝離出來后，Key Foundry 提供 180nm 的 BCD 工藝，適用于從 8V 到 150V 的寬電壓范圍的功率器件。100V 或 150V 級別的器件用于智能手機或筆記本電腦中的電池充電 IC，例如提高 Type-C 充電器的性能。在 60V BCD 工藝中，最大功率可達 100W，但如果充電 IC 采用 150V BCD 工藝設(shè)計，則傳輸功率可增加至 240W。
此外，這些高壓器件也可用于設(shè)計大功率工業(yè)電機的驅(qū)動芯片。Key Foundry 表示，計劃在今年下半年為通信和工業(yè)設(shè)備的大功率電壓轉(zhuǎn)換器 IC 提供 200V 級高壓器件。
BCD 是一種將模擬信號控制用雙極電路、數(shù)字信號控制用 CMOS 電路和高壓處理用 DMOS 電路集成在一塊芯片上的工藝技術(shù)，適用于各種功率半導體產(chǎn)品，具有電壓高、可靠性高、電子干擾低等優(yōu)點。
Key Foundry 表示，“最近，為了實現(xiàn)高速電力傳輸和高功率效率，功率半導體市場對 100V 或更高電壓的 BCD 技術(shù)的需求正在增加。尤其是在很少有工廠使用塊狀硅晶圓（bulk-type silicon wafer）提供 100V 或更高電壓的 BCD 工藝，在不使用 SOI 襯底的情況下，啟動 180nm 150V BCD 技術(shù)的量產(chǎn)具有重大意義?！?/p>
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