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存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士 39 年風(fēng)云錄:從兩度債臺(tái)高筑,到全球半導(dǎo)體前三

芯東西 2022/3/28 20:04:36 責(zé)編:汪淼

近日,半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 發(fā)布報(bào)告,隨著各大存儲(chǔ)巨頭展開(kāi) 200 層 NAND 閃存產(chǎn)品的研發(fā)競(jìng)賽,全球閃存資本支出再創(chuàng)新高。在各大巨頭中,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士預(yù)計(jì)將在 2023 年實(shí)現(xiàn) 196 層 NAND 閃存產(chǎn)品。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)占比最高的分支,總計(jì)市場(chǎng)規(guī)模在 1000 億美元以上。其中 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的兩類存儲(chǔ)器件,市場(chǎng)占比超過(guò) 95%,而 SK 海力士分別為全球 DRAM 市場(chǎng)份額第二和 NAND 閃存市場(chǎng)份額第四。

今年 1 月,隨著各國(guó)監(jiān)管部門陸續(xù)同意,SK 海力士宣布,其收購(gòu)英特爾閃存業(yè)務(wù)的第一階段程序已經(jīng)完成。此次收購(gòu)涉及的金額達(dá) 90 億美元,全部流程完成后 SK 海力士將接管英特爾大連晶圓廠、閃存研發(fā)部門以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)等,進(jìn)一步擴(kuò)大自身在閃存領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。

作為存儲(chǔ)巨頭,SK 海力士的經(jīng)歷頗富傳奇色彩,在如今全球第三大半導(dǎo)體公司的背后,它也曾兩次背負(fù)高額負(fù)債,瀕臨倒閉。同時(shí) SK 海力士還與現(xiàn)代、LG 和 SK 等韓國(guó)財(cái)團(tuán)有著極深的羈絆:SK 海力士的前身曾是現(xiàn)代電子;現(xiàn)代電子和 LG 半導(dǎo)體合并后,在 2001 年獨(dú)立改名為海力士;2012 年 SK 集團(tuán)收購(gòu)海力士,也就變成了如今人們所熟知的 SK 海力士。

芯東西將梳理現(xiàn)代電子成立至今 SK 海力士的近 40 年歷史,回顧這家存儲(chǔ)巨頭的傳奇經(jīng)歷,并展現(xiàn)存儲(chǔ)市場(chǎng)的風(fēng)譎云詭。

如今,總部位于韓國(guó)的 SK 海力士是全球最大的半導(dǎo)體廠商之一。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 的最新數(shù)據(jù),SK 海力士 2021 年?duì)I收達(dá) 363.26 億美元,是全球第三大半導(dǎo)體公司,僅次于三星和英特爾。

1983 年-2000 年:以代工起家的現(xiàn)代電子

韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收入全球排名第二,僅次于美國(guó),其重要性不言而喻,SK 海力士就是韓國(guó)半導(dǎo)體的標(biāo)志性企業(yè)之一。

70 年代,DRAM 存儲(chǔ)器剛剛誕生,英特爾、莫斯泰克(Mostek)等美國(guó)公司在 DRAM 市場(chǎng)輪番坐莊,日本公司也在伺機(jī)而動(dòng)。

1983 年現(xiàn)代電子成立,由此開(kāi)啟了 SK 海力士的傳奇之路。現(xiàn)代集團(tuán)上世紀(jì)曾經(jīng)是韓國(guó)最大的財(cái)團(tuán),未分家之前其業(yè)務(wù)類型覆蓋建筑、汽車、造船、半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

隨著韓國(guó)三星、現(xiàn)代電子、LG 半導(dǎo)體等公司紛紛打入 DRAM 市場(chǎng),行業(yè)產(chǎn)能開(kāi)始過(guò)剩,行業(yè)利潤(rùn)嚴(yán)重下滑。

由于 1983 到 1985 年游戲機(jī)市場(chǎng)崩盤,DRAM 市場(chǎng)下降到只有之前的 10% 不到,英特爾、美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體等廠商先后退出了該市場(chǎng)。80 年代中期,日本企業(yè)憑借著低廉的成本和優(yōu)秀的技術(shù),開(kāi)始?jí)褐泼绹?guó)公司、主導(dǎo)存儲(chǔ)市場(chǎng)。

此時(shí)韓國(guó)企業(yè)基本處于追隨者的角色,其中現(xiàn)代電子通過(guò) OEM 代工的方式,從美國(guó)德州儀器等企業(yè)獲得了關(guān)鍵技術(shù),并于 1986 年完成了 64K DRAM 的量產(chǎn)。

1985 年 9 月,美國(guó)、日本、聯(lián)邦德國(guó)、法國(guó)以及英國(guó)的財(cái)政部部長(zhǎng)和中央銀行行長(zhǎng)舉行會(huì)議,達(dá)成五國(guó)政府聯(lián)合干預(yù)外匯市場(chǎng)、解決美國(guó)巨額貿(mào)易赤字問(wèn)題的協(xié)議。由于這一會(huì)議召開(kāi)的地點(diǎn)在紐約廣場(chǎng)飯店,因此被稱作廣場(chǎng)協(xié)議。

該協(xié)議簽署后,日元開(kāi)始升值。美國(guó)商務(wù)部也啟動(dòng)了 301 反傾銷調(diào)查,在次年簽署美日半導(dǎo)體協(xié)議,迫使日本打開(kāi)芯片市場(chǎng)。雖然此時(shí)日本廠商仍占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢(shì),但是其低價(jià)策略已經(jīng)失去了魔力。

三星、現(xiàn)代、LG 和大宇四家韓國(guó)廠商依靠財(cái)閥的充沛財(cái)力,在 80 年代投資超過(guò) 20 億美元,折合今天上百億美元,開(kāi)始在技術(shù)上追趕日本公司。

進(jìn)入 90 年代后,荷蘭光刻機(jī)供應(yīng)商 ASML 的光刻機(jī)技術(shù)開(kāi)始超過(guò)日本佳能和尼康。美光、三星相繼更換 ASML 光刻機(jī),現(xiàn)代電子也緊隨其后采用了 ASML 的光刻機(jī)。

由于日本 DRAM 廠商堅(jiān)持使用佳能和尼康光刻機(jī),韓日雙方在工藝、成本上逐漸拉開(kāi)了差距。1997 年,亞洲金融危機(jī)爆發(fā),由于韓國(guó)企業(yè)負(fù)債率過(guò)高、外匯儲(chǔ)備不足、歐美債務(wù)收緊,韓元在年底數(shù)周內(nèi)暴跌 60%,卻極大地增強(qiáng)了韓國(guó)企業(yè)的出口競(jìng)爭(zhēng)力。

1998 年,韓國(guó) DRAM 企業(yè)的市場(chǎng)份額首次超過(guò)日本。除了依靠各大財(cái)團(tuán)的雄厚實(shí)力外,韓國(guó)政府在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃方面同樣發(fā)揮了巨大的作用,從 1975 年開(kāi)始,頒布了多項(xiàng)政策扶持韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

韓國(guó) 1975 年-2011 年半導(dǎo)體政策

▲ 韓國(guó) 1975 年-2011 年半導(dǎo)體政策

為了促進(jìn)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力,韓國(guó)政府在 1999 年將現(xiàn)代電子與 LG 半導(dǎo)體合并,現(xiàn)代電子擁有多數(shù)股份。

根據(jù)海力士主要債權(quán)人、韓國(guó)外換銀行(KEB)CEO 羅伯特?E?法倫(Robert E. Fallon)的說(shuō)法,LG 半導(dǎo)體的公司僅價(jià)值 1.3 萬(wàn)億韓元(約合 75 億元人民幣),而現(xiàn)代電子支付了 6.1 萬(wàn)億韓元(約合 353 億元人民幣);僅現(xiàn)金部分就相當(dāng)于 LG 半導(dǎo)體賬面價(jià)值的兩倍。

原則上,現(xiàn)代電子應(yīng)該拒絕為 LG 半導(dǎo)體的債務(wù)買賬,但是法倫稱,當(dāng)時(shí)要求兩家公司合并的政治壓力過(guò)于龐大,最終合并后現(xiàn)代電子負(fù)債近 140 億美元,債務(wù)股本比高達(dá) 160%,這為公司帶來(lái)了龐大的經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)。

韓國(guó)外換銀行 CEO Robert E. Fallon

▲ 韓國(guó)外換銀行 CEO Robert E. Fallon

2001 年-2006 年:巨額債務(wù)下的絕地求生

2001 年,因?yàn)楝F(xiàn)代電子從現(xiàn)代集團(tuán)中拆分,公司改名為海力士。同年美光完成收購(gòu)德州儀器的內(nèi)存部門,隨著 1999 年到 2001 年內(nèi)存行業(yè)整合結(jié)束,三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的 DRAM 市場(chǎng)份額。

2001-2014 年內(nèi)存市場(chǎng)份額

▲ 2001-2014 年內(nèi)存市場(chǎng)份額

此時(shí) DRAM 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)趨于白熱化,產(chǎn)品價(jià)格接近生產(chǎn)成本,之后互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂,DRAM 價(jià)格崩盤。

根據(jù) IDC 數(shù)據(jù),在 2001 年 DRAM 容量需求上升 56% 的情況下,DRAM 價(jià)格降低了 46%,2001 年 DRAM 市場(chǎng)預(yù)期只有 238 億美元,相較 2000 年縮水 18%。

在這樣的市場(chǎng)行情下,海力士虧損 25 億美元,無(wú)力歸還貸款,資產(chǎn)負(fù)債率高達(dá) 206%。

考慮到半導(dǎo)體行業(yè)巨大的遠(yuǎn)期資本支出需求,韓國(guó)政府和以韓國(guó)外換銀行為首的債權(quán)人開(kāi)始推動(dòng)出售海力士。

然而,三星和 LG 都拒絕接手這個(gè)負(fù)債累累的爛攤子,只有美光想要趁機(jī)大賺一筆。

2001 年底,時(shí)任海力士總裁的 Park Chong-sup 與美光達(dá)成協(xié)議,美光將以價(jià)值 30 億美元的股票收購(gòu)海力士的整個(gè)內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)與 25% 的其他業(yè)務(wù),而且還不會(huì)接受海力士的 60 億美元債務(wù)。

盡管當(dāng)時(shí)海力士已經(jīng)走投無(wú)路,但這一計(jì)劃依舊遭到了海力士董事會(huì)的一致反對(duì)。最后美光收購(gòu)海力士失敗,各大 DRAM 廠商開(kāi)始期待海力士倒閉空出的市場(chǎng)。

韓國(guó)外換銀行這時(shí)(KEB)面臨著兩種選擇:對(duì)公司進(jìn)行清算;或者通過(guò)債權(quán)人主導(dǎo)的大規(guī)模重組,試圖使海力士復(fù)蘇。

韓國(guó)外換銀行選擇了后者,為此,外換銀行根據(jù)《韓國(guó)企業(yè)重組促進(jìn)法(CRPA)》啟動(dòng)了一項(xiàng)雄心勃勃的重組計(jì)劃。CRPA 是韓國(guó)旨在幫助公司從金融危機(jī)中復(fù)蘇國(guó)家計(jì)劃的一部分,該法律使外換銀行有權(quán)指定海力士的管理層,并借給海力士 12 億美元以完成重建。

于是外換銀行成立了債權(quán)人委員會(huì)取代海力士董事會(huì),該委員會(huì)負(fù)責(zé)為海力士做出所有關(guān)鍵決定。而在海力士?jī)?nèi)部,外換銀行設(shè)立了一個(gè)財(cái)務(wù)管理團(tuán)隊(duì),專門負(fù)責(zé)監(jiān)督海力士的現(xiàn)金收入與支出。

最后,外換銀行選出了海力士的董事名單,其中 Eui-Jei Woo 成為了海力士的 CEO。

Woo 教授于 1967 年加入外換銀行。2000 年,他升任韓國(guó)外換銀行代理總裁。據(jù)他回憶,他被任命海力士 CEO 這天是他人生中最糟糕的一天。

海力士前 CEO Eui-Jei Woo

▲ 海力士前 CEO Eui-Jei Woo

Woo 教授記得,剛剛接手海力士之初,他們?nèi)魏卧噲D制定可行還款計(jì)劃的嘗試都被指責(zé)是失敗的。債權(quán)人、韓國(guó)政府和媒體得出結(jié)論:海力士無(wú)法在財(cái)務(wù)上恢復(fù)元?dú)?,三方敦促他重啟與美光的談判。

Eui-Jei Woo 并沒(méi)有因此而放棄,相反他選擇繼續(xù)帶領(lǐng)海力士執(zhí)行重建計(jì)劃,最終完成了重建。

回顧海力士的復(fù)蘇過(guò)程,Eui-Jei Woo 提出了海力士復(fù)興中的 6 大里程碑:

  • 1、成立半導(dǎo)體聯(lián)盟;

  • 2、賣掉了非存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù);

  • 3、中國(guó)無(wú)錫芯片廠的成立;

  • 4、CRPA 再融資;

  • 5、債權(quán)人權(quán)益貨幣化;

  • 6、引入新融資。

當(dāng)時(shí)為了改善海力士的債務(wù)狀況并確保其生存,韓國(guó)外換銀行注銷了海力士對(duì)自己的 80 億美元債務(wù),達(dá)到絕對(duì)控股,也緩解了海力士的債務(wù)壓力。

之后,海力士和很多半導(dǎo)體公司達(dá)成了戰(zhàn)略合作關(guān)系,組建了半導(dǎo)體聯(lián)盟。法倫介紹,其中比較重要的是與歐洲芯片廠商意法半導(dǎo)體的合作。

當(dāng)時(shí)意法半導(dǎo)體和海力士都瞄準(zhǔn)了 NAND 閃存市場(chǎng)。但是意法半導(dǎo)體的專有設(shè)計(jì)實(shí)力很強(qiáng),卻并不擅長(zhǎng)芯片制造。而海力士雖然芯片制造實(shí)力很強(qiáng),但是沒(méi)有多余的資金來(lái)建設(shè)新廠,因此雙方提議合資建廠。

此時(shí),中國(guó)不僅是一個(gè)巨大的市場(chǎng),也在追求更高的芯片制造工藝,中國(guó)政府提供了非常誘人的優(yōu)惠條件吸引外國(guó)技術(shù)投資,而且生產(chǎn)成本與其他國(guó)家相比也較低。

值得一提的是,海力士拒絕美光的收購(gòu)報(bào)價(jià)后,美光于 2003 年向歐盟和美國(guó)起訴海力士。歐盟和美國(guó)因海力士接受韓國(guó)政府控制的銀行補(bǔ)貼,分別決定對(duì)海力士征收 34% 與 45% 的進(jìn)口關(guān)稅。在中國(guó)合資建廠可以免交這些高額稅款,這也進(jìn)一步促使海力士選擇中國(guó)建廠。

因?yàn)闊o(wú)錫此前曾引進(jìn)東芝 DRAM 生產(chǎn)線,具備半導(dǎo)體生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),最終價(jià)值 20 億美元的意法半導(dǎo)體和海力士存儲(chǔ)芯片工廠在無(wú)錫落地,成為了當(dāng)時(shí)中國(guó)最大的外國(guó)技術(shù)投資。

海力士無(wú)錫芯片廠共有兩條生產(chǎn)線,一條 8 英寸晶圓生產(chǎn)線的月產(chǎn)量為 50000 片,另外一條 12 英寸生產(chǎn)線的月產(chǎn)量達(dá)到 18000 片。

本次海力士投入 2.5 億美元的現(xiàn)金和價(jià)值 2.5 億美元的設(shè)備,獲得了工廠 2/3 的產(chǎn)能,意法半導(dǎo)體則占據(jù)另外 1/3。在這次投資中,海力士?jī)H花費(fèi) 2.5 億美元現(xiàn)金就建設(shè)了價(jià)值 20 億美元的工廠,還擴(kuò)充了最先進(jìn)的 12 英寸產(chǎn)能。

2002 年 11 月,私募股權(quán)與信貸公司 CVC 資本(CVC Capital Partners)開(kāi)始與海力士溝通,希望交易其非存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)。海力士拒絕了 CVC 8 萬(wàn)億韓元(約合 5 億美元)的原始要約,從而直接與 CVC 董事長(zhǎng)威廉?康福特(William Comfort)進(jìn)行了談判。

雙方在 KEB 經(jīng)過(guò)數(shù)天激烈討論后,要約價(jià)格從 5 億美元提高到 9.54 億美元。這個(gè)數(shù)字大約是海力士非內(nèi)存芯片部門賬面價(jià)值的 2 倍,于是海力士同意了這筆交易,減少了超過(guò) 10 億美元的債務(wù)。

而 CVC 將非內(nèi)存芯片部門改名為 MagnaChip,并將其帶入了國(guó)際證券市場(chǎng)。CVC 通過(guò)發(fā)行高收益的揚(yáng)基債券(即在美國(guó)市場(chǎng)上發(fā)行的外國(guó)債券),獲得了 7.5 億美元收益。

海力士、KEB 和 CVC 都在交易中獲得了利益

▲ 海力士、KEB 和 CVC 都在交易中獲得了利益

這使法倫和 Eui-Jei Woo 意識(shí)到,高收益?zhèn)袌?chǎng)可能將為海力士提供類似的機(jī)會(huì)。

于是,海力士也開(kāi)始發(fā)行債券對(duì)現(xiàn)有債務(wù)再融資,一開(kāi)始該公司計(jì)劃在市場(chǎng)籌集 18 億美元。此時(shí)海力士已經(jīng) 14 個(gè)季度連續(xù)虧損,很多債務(wù)被列為不良貸款,很多投資人并不看好重建計(jì)劃。

為了重建海力士與債券市場(chǎng)投資者關(guān)系,海力士及其債權(quán)人同意放棄超過(guò) 10% 的股份,并將其投入市場(chǎng)進(jìn)行融資。最終,該融資使海力士?jī)斶€了 12 億美元的 CPRA 債務(wù),為海力士贏回了市場(chǎng)信譽(yù)。

由于償還了 CPRA 債務(wù),KEB 的債權(quán)人理事會(huì)解散,董事會(huì)重新建立。換句話說(shuō),KEB 銀行再次回歸了其股東身份,不再直接管理海力士。KEB 的資金管理團(tuán)隊(duì)也隨后撤出,賦予了海力士更多的管理自主權(quán)與資金使用權(quán)限。

2008 年,哥倫比亞大學(xué)商學(xué)院邀請(qǐng)法倫和 Eui-Jei Woo 進(jìn)行講座,將海力士的這次經(jīng)歷稱為“有史以來(lái)最大、最成功的亞洲公司重組”。

2006 年至今:再陷債務(wù)危機(jī),SK 集團(tuán)救場(chǎng)

2006 年,隨著無(wú)錫芯片工廠開(kāi)業(yè),海力士在騰飛的 NAND 閃存業(yè)務(wù)中占到了一大塊蛋糕,當(dāng)年獲得了超過(guò) 20 億美元的凈利潤(rùn),創(chuàng)造了海力士利潤(rùn)新高。眼看海力士即將擺脫破產(chǎn)陰影,Eui-Jei Woo 的退休卻又為海力士的未來(lái)添加了幾分不確定因素。

Woo 教授于 2007 年從海力士退休。在他辭職之前,他要求其繼任者從海力士目前的管理層中挑選。

不幸的是,債權(quán)人 KEB 沒(méi)有聽(tīng)從他的建議,而是任命了一位來(lái)自韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部的前部長(zhǎng)金鐘甲為接班人。在他領(lǐng)導(dǎo)下,海力士開(kāi)始了積極的產(chǎn)能擴(kuò)充。

2007 年 7 月,金鐘甲宣布海力士計(jì)劃大幅增加 300mm 晶圓的產(chǎn)量,以使海力士成為世界領(lǐng)先的芯片制造商。為此,海力士的大量投資遷移到 56、36nm DRAM 和 48nm NAND 閃存生產(chǎn)線上。

雖然金鐘甲的野心很大,但他忽視了存儲(chǔ)芯片價(jià)格的波動(dòng)。2007 年,存儲(chǔ)芯片價(jià)格開(kāi)始下跌。9 月份,標(biāo)準(zhǔn)的 512MB DDR2 DRAM 芯片的價(jià)格從年初下降了超過(guò) 70%,原本 5.95 美元 / 片的 DRAM 芯片售價(jià)降到了 1.75 美元 / 片。

這本應(yīng)是對(duì)海力士投資支出過(guò)高的一次警告。在芯片價(jià)格較低的情況下,海力士幾乎無(wú)法支付其生產(chǎn)成本與貸款利息,也無(wú)法獲得更多融資。盡管如此,金鐘甲仍在繼續(xù)其激進(jìn)的資本支出計(jì)劃。

海力士?jī)?nèi)部經(jīng)驗(yàn)豐富的管理人員因此越來(lái)越不滿,他們知道過(guò)去的高額債務(wù)幾乎毀掉了公司?,F(xiàn)在,他們卻不得不眼睜睜地看著海力士的債務(wù)水平再次上升。

時(shí)任高級(jí)副總裁的權(quán)伍哲表達(dá)了他的擔(dān)憂,很快他被另一名前韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部官員取代。另外一名海力士金融專家也曾提出質(zhì)疑,但 2008 年因?yàn)?5 億美元的全球可轉(zhuǎn)換債券再融資失敗,他被迫辭職。

我們現(xiàn)在無(wú)法得知為何 KEB 等債權(quán)人沒(méi)有提前進(jìn)行干預(yù),但到了 2008 年第四季度,存儲(chǔ)芯片價(jià)格仍未回升,海力士也受困于流動(dòng)性緊縮,不得不與銀行開(kāi)始新一輪的接洽。

海力士為了生存,要求增加新股本并將銀行債務(wù)延期,為此,海力士的債務(wù)水平將大幅提升。

具有諷刺意味的是,一家曾如此努力地去杠桿化資產(chǎn)負(fù)債表的公司,如今又面臨著債務(wù)不斷增加的局面,海力士管理層似乎忽略了 2002-2006 年的教訓(xùn)。

2008 年 12 月,海力士宣布將削減在韓國(guó)擴(kuò)建工廠的開(kāi)支,推遲了在中國(guó)無(wú)錫擴(kuò)建工廠的 2.6 億美元投資計(jì)劃,并關(guān)閉了位于俄勒岡州尤金的 200mm 芯片制造工廠。

2009 年 1 月,韓國(guó)主要的債權(quán)銀行宣布將提供 5000 億韓元(約合 4.43 億美元)的新貸款,以及 3000 億韓元(約合 2.66 億美元)的新股本,以及將超過(guò) 18000 億韓元(約合 16 億美元)的現(xiàn)有債務(wù)延期。

這為海力士提供了一定的資金流動(dòng)性,以抵御存儲(chǔ)芯片的價(jià)格下滑。但是這并沒(méi)有讓海力士擺脫虧損,自 2007 年開(kāi)始,海力士連續(xù)三年虧損。2010 年,金鐘甲任期時(shí)間到期,經(jīng)過(guò) KEB 等六家債權(quán)方銀行推薦、投票,權(quán)伍哲成為了海力士的新任 CEO。

2012 年,SK 集團(tuán)收購(gòu)海力士,自此海力士終于從資金匱乏的境地中脫離了出來(lái)。之后,2013、2014、2017、2018、2020 年,DRAM 連續(xù)數(shù)年成為增幅最大的 IC 細(xì)分領(lǐng)域,SK 海力士業(yè)績(jī)也逐步上升,公司更是由無(wú)人問(wèn)津的“爛攤子”變成了“香餑餑”。

2014 年,SK 海力士宣布其“未來(lái)愿景”,計(jì)劃從 2014 年開(kāi)始建設(shè) M14、M15、M16 三座工廠,M16 將在 2021 年 2 月份竣工,引進(jìn)了最新的 EUV 光刻機(jī);2019 年,SK 海力士又宣布,將在 2022 年后投資 1 千億美元新建四座工廠。

SK 海力士的 M16 新廠

▲ SK 海力士的 M16 新廠

加大投資后的 SK 海力士在工藝研發(fā)和新型存儲(chǔ)技術(shù)上逐漸取得突破。

2021 年 7 月,SK 海力士宣布開(kāi)始使用 EUV 設(shè)備量產(chǎn) 1anm DRAM,這是第四代 10nm DRAM 工藝。12 月,SK 海力士宣布交付業(yè)界單片密度最大的 DDR5 DRAM 芯片,其每片密度為 24Gb,高于 1ynm 工藝的 DDR5 16Gb 的密度,芯片速率提升了 33%。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 數(shù)據(jù),2021 年 SK 海力士營(yíng)收達(dá) 363.26 億美元,較去年增長(zhǎng) 40.5%,營(yíng)收規(guī)模僅次于三星和英特爾,是全球第三大半導(dǎo)體公司。

在新型存儲(chǔ)技術(shù)上,SK 海力士今年 2 月 16 日稱,已開(kāi)發(fā)出具有計(jì)算能力的下一代存儲(chǔ)芯片 PIM(Processing In Memory)?;谶@種存內(nèi)計(jì)算方式,其 GDDR6-AiM(Accelerator in memory)樣品與 CPU 或 GPU 的組合,比 DRAM 與 CPU 或 GPU 的組合計(jì)算速度快 16 倍,被期望用于機(jī)器學(xué)習(xí)、高性能計(jì)算以及大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算。

結(jié)語(yǔ):隨半導(dǎo)體周期而動(dòng),SK 海力士的 39 年風(fēng)雨

而回顧 SK 海力士接近 40 年的歷史,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)始終主導(dǎo)了眾多存儲(chǔ)公司的命運(yùn)。奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)等業(yè)內(nèi)巨頭都已經(jīng)不復(fù)存在,最終在存儲(chǔ)領(lǐng)域形成了三星、SK 海力士和美光三大頭部玩家。

而 SK 海力士的起起伏伏更是展示了市場(chǎng)判斷對(duì)于企業(yè)經(jīng)營(yíng)的重要性。半導(dǎo)體市場(chǎng)由于其產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間長(zhǎng)的緣故,扎堆投資,就容易造成供過(guò)于求,進(jìn)而使半導(dǎo)體公司出現(xiàn)虧損、生產(chǎn)線荒廢、人員解散,又會(huì)導(dǎo)致市場(chǎng)緊缺,價(jià)格上升,又開(kāi)始建立新的或者改善原生產(chǎn)線。這種情況下,如何對(duì)市場(chǎng)周期進(jìn)行預(yù)判,又如何度過(guò)低迷期,都對(duì)各家半導(dǎo)體公司管理人員提出了極高的要求。

此外,SK 海力士也向我們展示了政府干預(yù)這一雙刃劍的兩刃。韓國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司能夠快速壯大,背后無(wú)疑有著政府規(guī)劃的功勞,在海力士即將破產(chǎn)時(shí),也是國(guó)有銀行對(duì)其施以援手??墒菍?duì)于半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō),殘酷的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)絕非簡(jiǎn)單地依靠政府盲目擴(kuò)張就能成功。

韓國(guó)此前作為半導(dǎo)體市場(chǎng)的挑戰(zhàn)者,與中國(guó)如今的情況有相同之處。SK 海力士作為韓國(guó)半導(dǎo)體的代表之一,其傳奇經(jīng)歷的背后或許也可以為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供一些經(jīng)驗(yàn)。

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