據(jù) DIGITIMES 報(bào)道，三星電子的 3nm GAA 工藝良率仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于其目標(biāo)。根據(jù)一份報(bào)道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工藝良率，該工藝良率剛剛達(dá)到 10% 至 20% 之間。三星 4nm 工藝制造的良率也不盡如人意，僅為 30%-35%。
報(bào)道稱，三星計(jì)劃在 2023 年引入第二代 3 納米工藝（3GAP），屆時(shí)或?qū)㈤_始積極為代工客戶服務(wù)。
市場(chǎng)消息人士認(rèn)為，三星第一代 3nm GAA 工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代 3nm 工藝將為外部客戶的芯片設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)。
該消息人士指出，臺(tái)積電在轉(zhuǎn)向 GAA 晶體管技術(shù)時(shí)是否會(huì)面臨良率問(wèn)題還有待觀察。臺(tái)積電極有可能擁有基于 GAA 的 2nm，目標(biāo)是在 2025 年投產(chǎn)。
據(jù)稱，三星電子規(guī)劃今年實(shí)現(xiàn) 3 納米制程芯片量產(chǎn)，不過(guò)業(yè)內(nèi)傳言當(dāng)前工藝（3GAE）的試產(chǎn)良率不盡如人意，僅達(dá)到約兩成，低良率帶來(lái)的高成本，使三星在 3 納米工藝量產(chǎn)初期可能僅用于自有產(chǎn)品生產(chǎn)。
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