市調(diào)機構(gòu) Yole Dédevelopement 近日發(fā)布《內(nèi)存行業(yè)年度狀況報告》顯示，2022 年，DRAM、NAND 閃存市場將分別增長 25%、24% 到 1180 億美元、830 億美元，均創(chuàng)歷史新高。2021-2027 年，獨立內(nèi)存市場預(yù)計將以 8% 的 CAGR 增長至 2600 多億美元。然而，季節(jié)性因素仍將存在。
據(jù) Evertiq 報道，Yole 存儲器高級市場與技術(shù)分析師 Simone Bertolazzi 博士表示，“在貿(mào)易摩擦和新冠疫情爆發(fā)的情況下，獨立內(nèi)存市場在過去兩年一直在擴張。2020 年和 2021 的收入分別增長了 15% 和 32%。如此顯著的增長是大多數(shù)細分市場的生產(chǎn)受限和需求強勁增長共同推動的?！?/p>
2022 年是 NAND 閃存發(fā)明 35 周年。自 1987 年以來，NAND 設(shè)備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規(guī)模，人們正在深入研究新的技術(shù)解決方案，包括 CBA 體系結(jié)構(gòu)，如長江存儲的 Xtacking 方法。如今，所有的存儲器制造商都在使用混合鍵合設(shè)備進行研發(fā)。鎧俠和三星等主要供應(yīng)商正在將晶圓對晶圓鍵合納入 NAND 路線圖。
DRAM 業(yè)務(wù)上，Yole 指出了當(dāng)前的共識，即平面縮放 —— 即使通過光刻 EUV 工藝，也不足以在整個未來十年提供所需的位密度改善。因此，主要設(shè)備供應(yīng)商和領(lǐng)先的 DRAM 制造商正在考慮將單片 3D DRAM（相當(dāng)于 3D NAND 的 DRAM）作為長期擴展的潛在解決方案。Yole 的分析師認為，這種新型 3D 技術(shù)可能會在 2029-2030 年進入市場。
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