集微網(wǎng)消息，英特爾公司在封裝設計中開發(fā)了一種嵌入式電感的全集成穩(wěn)壓器（Fully Integrated Voltage Regulators，F(xiàn)IVR），用于控制芯片在 3D-TSV 堆疊系統(tǒng)中的功率。
據(jù) eeNews 報道，電壓控制器對于 3D 封裝至關重要，后者將基于工作負載的最優(yōu)流程節(jié)點實現(xiàn)的 chiplet 封裝在一起。這是一種靈活且經(jīng)濟高效的方法，可以創(chuàng)建多種配置，但需要更復雜的電源控制。
英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團隊使用 0.9nH-1.4nH 3D-TSV 基于封裝嵌入式電感器開發(fā)了一種 FIVR，其效率比低退出調節(jié)器（LDO）高 37.6%，在 10mA-1A 負載范圍內(nèi)實現(xiàn)了平坦的效率，而無需相互通信。
圖源：eeNews
FIVR 在基于 22nm 工藝的裸片上實現(xiàn)，采用三種 TSV 友好型電感結構，具有多面積與效率的權衡選項。這些很容易并行地構建模塊化設計，可以服務于廣泛而不同的 chiplet。
該設計在最近的 VLSI 2022 研討會上進行了討論。
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