6 月 26 日，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電先進(jìn)制程領(lǐng)先群雄并持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)之際，向提供客戶全方位服務(wù)，旗下成熟制程擴(kuò)充升級(jí)特殊制程也不遺余力。
報(bào)道稱，業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電今年成熟制程相關(guān)投資逾 40 億美元，明年也不會(huì)低于 40 億美元，換算兩年來成熟制程累計(jì)投資近百億美元。
臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展備受市場(chǎng)關(guān)注，但實(shí)際上該公司在成熟制程上擴(kuò)充也從未停止，更不斷客制化升級(jí)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音曾公開表示，成熟制程特別是 28 納米有效產(chǎn)能供過于求，但臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)充成熟制程，主要因應(yīng)客戶策略發(fā)展所需。
近年來，臺(tái)積電成熟制程專注升級(jí)特殊制程應(yīng)用。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，四年前臺(tái)積電成熟制程當(dāng)中的特殊制程應(yīng)用占比約 45%，去年在成熟制程總產(chǎn)能提升下，特殊制程占比仍提升至約 60%，今年隨客戶需求增長(zhǎng)，有望持續(xù)沖高。
報(bào)道指出，臺(tái)積電特殊制程主要來自成熟制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)型量產(chǎn)且應(yīng)用廣泛，相關(guān)制程橫跨 12 納米、16 納米 FFC RF、22 納米嵌入式 RRAM 技術(shù)支持物聯(lián)網(wǎng) MCU 應(yīng)用、28 納米無線充電與車用雷達(dá)，乃至高端面板驅(qū)動(dòng) IC 應(yīng)用、40 納米 BCD（ Bipolar-CMOS-DMOS）強(qiáng)效版在無線充電芯片新應(yīng)用等。
此外，臺(tái)積電定義先進(jìn)與成熟制程以 7 納米為分水嶺。業(yè)界認(rèn)為，這反映臺(tái)積電在相關(guān)領(lǐng)域生產(chǎn)持續(xù)推進(jìn)，隨著 3 納米將在下半年量產(chǎn)，預(yù)計(jì)之后 7 納米有望逐步納入成熟制程領(lǐng)域。
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