近日，中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。
據(jù)悉，a-IGZO 被視為實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的最佳候選溝道材料之一。三維集成技術(shù)的本質(zhì)是為提高晶體管在芯片上的集成密度。因此，對(duì)于兼容后道工藝的 a-IGZO 晶體管來(lái)說(shuō)，探索其尺寸的極限微縮是實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的關(guān)鍵。
▲ 器件結(jié)構(gòu)示意圖及 TEM 表征圖，圖源： 中科院微電子研究所
針對(duì)上述問題，微電子所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研人員通過(guò)采用宏觀電學(xué)測(cè)試和微觀表征技術(shù)相結(jié)合的方法，研究了尺寸微縮時(shí) a-IGZO 晶體管基本特性的變化規(guī)律，通過(guò)微縮柵介質(zhì)等效氧化層厚度和半導(dǎo)體厚度來(lái)提高器件的柵控能力，進(jìn)一步優(yōu)化金屬半導(dǎo)體接觸，降低了器件的接觸電阻，并使用柵控能力更強(qiáng)的雙柵互聯(lián)結(jié)構(gòu)與操作模式，實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)異的雙柵 a-IGZO 短溝道晶體管。
此外，基于該成果的文章入選 2022 VLSI，同時(shí)入選 demon session 文章。
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