集微網(wǎng)消息，上海集成電路材料研究院官網(wǎng)日前刊文，回顧了該院建院兩年來(lái)取得的科研與產(chǎn)業(yè)化成果。
這家由中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司共同發(fā)起成立的研究機(jī)構(gòu)致力于襯底材料、工藝材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，面向企業(yè)需求和產(chǎn)業(yè)化落地，積極開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)。
如該院針對(duì)拋光墊、拋光液材料性能以及拋光壓力、拋光溫度、拋光液流速等拋光工藝對(duì)大硅片平整度的影響，開(kāi)發(fā)了全套大硅片拋光解決方案。依托該院技術(shù)設(shè)立的上海芯謙集成電路有限公司首片 CMP 拋光墊已正式出樣。
在光刻材料研發(fā)上，該院采用創(chuàng)新范式提高材料研發(fā)效率，建立光刻材料基因組，以高通量材料制備平臺(tái)、短流程器件工藝平臺(tái)、高通量材料表征平臺(tái)、材料性能數(shù)據(jù)庫(kù)平臺(tái)與材料模擬計(jì)算平臺(tái)為支撐，與協(xié)作單位共同開(kāi)展提升光刻材料研發(fā)、篩選、優(yōu)化與應(yīng)用效率的研究工作。
面向前沿材料技術(shù)，集材院聯(lián)合上海微系統(tǒng)所發(fā)起氮化鋁薄膜材料基因組項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)了具有內(nèi)嵌空腔的 SOI 襯底（VESOI）并成功應(yīng)用于全包圍環(huán)形柵（GAA）器件的制備。
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