原文標題:《Micro-LED 如何解鎖高清無碼?》
五年前,蘋果 iPhone X 開始搭載 OLED(有機小分子電致發(fā)光顯示)屏幕;2021 年,蘋果在新款 MacBook Pro 上搭載了新的顯示技術:Mini-LED(次毫米發(fā)光二極管)。但 Mini-LED 不是終點站,蘋果涉足的另一項儲備技術,新秀 Micro-LED(微米發(fā)光二極管)顯示技術或有望一統(tǒng)江湖。
之所以升級顯示技術,都是為了看得更清晰、更還原真實世界。但目前,搭載 Micro-LED 技術的產品過于昂貴,如三星 110 英寸的 Micro-LED 電視,價格已超過百萬元,普通人根本無福消受。Micro-LED 產品價格何時才能親民,手機平板何時才能上 Micro-LED 屏幕?
改變人類生活的顯示技術
簡單來講,你可以把 Micro-LED 理解成將 LED 縮放到極小尺寸的一種新型顯示技術。其未來應用有望涉及顯示器、電視、手機平板顯示、增強現實 / 虛擬現實 / 混合現實(AR / VR / MR)、空間顯示、柔性透明顯示、可穿戴 / 可植入光電器件、光通訊 / 光互聯、醫(yī)療探測、智能車燈等領域。
業(yè)界使用兩種方法界定 Micro-LED 的技術規(guī)格。
一是通過芯片尺寸界定,將 LED 芯片縮放至小于 100μm,便可稱為 Micro-LED 芯片(也有學者認為應以 50μm 為界)。根據觀看距離和人眼的極限分辨率,對芯片尺寸的要求也不同:
VR / AR 應用觀看距離約 5cm,像素密度要達到 1800PPI 左右,此時 Micro-LED 芯片尺寸為 3~5 μm;
10 英寸~12 英寸的平板至少要達到 300PPI 的像素密度,對應芯片尺寸為 20~30μm;
75 英寸的電視則只需 43PPI,芯片尺寸往往為 200μm 左右。[1]
另一種是通過工藝界定,由于 Micro-LED 芯片尺寸非常小,其長寬甚至比芯片的高度還小,導致芯片高度大于固晶面尺寸,不利于芯片在基板上固定,因此會比傳統(tǒng) LED 增加一步激光剝離芯片基板的操作。
縱觀整個顯示行業(yè),技術持續(xù)涌現,目前市場主流技術包括 TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示)、AMOLED(主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示)、QD-OLED(混合 OLED 和 QLED 的技術)、QNED(以藍光 LED 作為光源的 QD-OLED 顯示)、Mini-LED、Micro-LED、Micro-OLED。
可以簡單將現階段顯示技術分為 LCD、OLED、QLED、Micro-LED 四個大類,其他技術是在此基礎上的改良版或過渡版,而 Micro-LED 被認為是理想的顯示技術,是新型顯示時代的終極目標,有望替代現階段大面積使用的 LCD 和 OLED。
從黑白到高清彩色,CRT 技術滿足了一代人對影響世界的夢想。從又厚又重到平板顯示,LCD 和 OLED 滿足了人們對輕薄、便攜、對視力友好的要求。而現階段,唯一能達到更接近現實,甚至是能夠騙過人眼的下一代顯示技術,是 Micro-LED。[3]
行業(yè)人士認為,當多種顯示技術集中爆發(fā)后,最終可能只會有一兩種技術能主導市場,而最有希望的無疑是 Micro-LED。[1]
Micro-LED 憑什么能獲得如此高的評價?因為它不僅擁有 LED 的大部分優(yōu)點,還具有高亮度、高分辨率、高響應速度、低功耗、體積小、易拆解、靈活度高、無拼縫等特征,能夠覆蓋絕大多數顯示應用場景 [5]。與此同時,它的響應速度能夠達到幾十納秒,沒有殘像且不存在壽命問題。[3]
除此之外,對比 LCD、OLED、QLED 等前輩,Micro-LED 的主要性能參數均較為優(yōu)異。
過渡技術已大規(guī)模商業(yè)化
Micro-LED 還有一個近親:Mini-LED,可以將后者理解為 LED 與 Micro-LED 間的過渡技術。由于技術原理極為類似,業(yè)界普遍將二者歸結于一個路線中,有些情況也會被合稱為 MLED。
作為前序技術,Mini-LED 主要解決的問題是芯片尺寸斷層問題,相關技術發(fā)展對 Micro-LED 具備一定的借鑒作用,其芯片尺寸一般為 75μm~300μm。
Mini-LED 要比 Micro-LED 實現起來簡單地多,不僅在芯片尺寸上更容易被實現,而且在材料上也沒有科學性的難題,已被量產投入到市場中,蘋果、三星、TCL 等品牌已實現規(guī)?;慨a。
但 Mini-LED 與 Micro-LED 有不同應用場景,市面上 Mini-LED 一般作為 LCD 背光源出現,再結合量子點技術,實現高動態(tài)范圍顯示,而 Micro-LED 則直接用于制作顯示像素 [7]。簡單來說,市售的 Mini-LED 顯示器本質上還是 LCD,Mini-LED 只是 LCD 的一個陪襯,而 Micro-LED 顯示器則直接發(fā)光成像。[8]
自 2018 年開始,面板廠商陸續(xù)發(fā)布使用 Mini-LED 作為背光的樣機,產品尺寸達到 152.4mm~685.8mm(6~27 英寸),至今為止,Mini-LED 背光的顯示器已擁有 1398mm(55 英寸)、1651mm(65 英寸)、1905 mm(75 英寸)和 2159 mm(85 英寸)等型號,可達 8K 分辨率、120Hz 刷新率的高指標,可將現有顯示器對比度由 10000∶1 拉升至 1000000∶1。[9]
Mini-LED 產業(yè)化行徑明晰,已具備一定出貨量。2021 年,全球中尺寸 Mini-LED 背光面板出貨量達 740 萬片。到 2023 年,智能汽車將成為 Mini-LED 的新陣地。[10]
作為中間過渡的 Mini-LED 產業(yè)一派欣欣向榮之勢,而 Micro-LED 依然小眾,那想讓么 Micro-LED 出圈,究竟難在哪里?
想造,沒那么容易
Micro-LED 什么都好,就是貴。究其原因,在于制造環(huán)節(jié)的難題較多,導致難以大量生產、良率較低,引發(fā)價格攀升。
從表面看,Micro-LED 芯片只是將 LED 芯片微縮化,但實際情況遠比想象中要難。從毫米級到微米級轉換的過程,本質是 LED 微小化、薄膜化和矩陣化,在該過程中材料生長、器件制備、驅動技術、生產工藝等步驟都發(fā)生了變化,最終產生質變。[11]
Micro-LED 采用的是 RGB(紅綠藍)顏色標準,由于是自發(fā)光元件,想讓 Micro-LED 顯現圖像,就要分別做出三基色的發(fā)光芯片,以此構成一個個像素。
用不同材料,可以制備不同顏色的 Micro-LED 芯片,如 InGaN / GaN 基材料用于制備綠光 / 藍光 Micro-LED 陣列,AlInGaP / GaAs 基材料用于制備紅光 Micro-LED 陣列,藍寶石、砷化鎵和硅等襯底上生長外延層,制備 Micro-LED 陣列。[12]
從襯底到產品,Micro-LED 顯示器會經過外延生長、芯片制造、巨量轉移、性能檢測四大工藝。
從技術上來看,芯片制備相關的材料和設備上相對成熟,問題癥候在于制造環(huán)節(jié),具體來說,Micro-LED 的壁壘包括以下幾點:
都是小惹的禍
對芯片來說,尺寸做得越小,制造難度就越大,Micro-LED 亦如此。Micro-LED 芯片的尺寸實在太小了,將其制作成各種顯示器件時,都要考慮小尺寸帶來的影響。
要取得小尺寸的 Micro-LED,就要使用微縮制程技術,將 LED 芯片微縮后到滿足應用要求的尺寸。微縮制程技術包括芯片焊接、晶圓焊接、薄膜轉移三種路徑,技術實施得越好,像素密度就會越高。
Micro-LED 還有個不得不面對的致命問題:在微縮過程中,時常會產生側壁缺陷。比如,同樣是 2μm 的誤差缺陷,在 250μm×250μm 尺寸的 LED 上,剩余可使用率為 97%,但在 5μm×5μm 的 Micro-LED 上,剩余可使用率僅為 4%。[14]
不僅如此,Micro-LED 芯片尺寸越小,電感耦合等離子體(ICP)刻蝕區(qū)域(側壁)與有源區(qū)體積的比率就會越大,刻蝕損傷所形成的缺陷占比越高 [15]。導致非輻射復合比例逐漸上升,發(fā)光效率和使用壽命下降。如尺寸從 400μm 減小至 20μm,電流密度光效下降比例可達 50%[7]。這還會導致有源區(qū)內肖克利?雷德?霍爾(SRH)非輻射復合幾率增加、輻射復合幾率和發(fā)光效率降低、引入新的漏電通道加重器件反向漏電。這些問題,在尺寸小于 10μm 的 Micro-LED 上尤為顯著。[16]
芯片尺寸問題還會讓提高驅動器與 Micro-LED 陣列集成的效率和穩(wěn)定性成為難題。簡言之,量產 LED 或是 Mini-LED 的工藝流程,對 Micro-LED 來說可能不再適用。
巨量轉移的困境
LED 顯示器的每個像素點都由點陣組合而成,一個個小 LED 芯片組成的陣列的間距基本一致。Micro-LED 也是同理。制造出芯片后,也要將大批量的 Micro-LED 芯片定點巨量地轉移到電路基板上,這個過程就是“巨量轉移”。
與傳統(tǒng)的 LED 不同,Micro-LED 的巨量轉移不僅對轉移精度、轉移速率、色彩均勻度的控制有更高要求,轉移數量也更大,4K 的 Micro-LED 顯示器需完成兩千多萬顆的 Micro-LED 芯片倒裝,而 8K 則達到了上億顆。[17]
目前巨量轉移技術有多種技術方案,包括精準拾取技術、激光釋放技術、流體自組裝技術及滾輪轉印技術等,不同技術擁有不同特性,但都存在一定弊端。
具體來說,精準拾取技術對轉移設備精準度及穩(wěn)定度要求極高;激光釋放技術在實施過程中可能會對芯片表面造成損傷,降低良率,此外激光設備價格昂貴;流體組裝技術需經歷 3 次才能完成轉移,效率較低;滾輪轉印技術可在柔性基底上實現轉移,但同樣需要 3 次轉移才能完成巨量轉移。[17]
部分方法在實驗室可達 99.99% 的良率,但比起至少要達到 99.9999% 良率的產業(yè)化要求,相差距離較大。業(yè)界正在探尋一種易實現、良率高又較為便宜的技術方案。[18]
繽紛色彩背后的挑戰(zhàn)
為什么顯示器能夠呈現得如此豐富多彩?因為顯示界普遍采用了 RGB(紅綠藍)顏色系統(tǒng),通過 RGB 三原色疊加合成,能夠實現肉眼可見的大部分色彩。想要 Micro-LED 能夠正確描繪出畫面,就要做好色彩方案,即全彩化。
Micro-LED 彩色化主要有兩種解決方案:一種是藍色源轉色方案,但色轉換材料存在涂布均勻性和信賴性等問題,應用較少;另一種是直接使用 LED 的 RGB 三色方案,但對 Micro-LED 來說,這種方案并不是拿來就能用,需要對 LED 大小進行相應調整,此外由于各色波長均一性差異,還會面臨光效率和良率不足的問題。[14]
產業(yè)鏈上的難題
造出 Micro-LED 芯片并不代表著結束,要讓它真正顯現在人們眼前,在多個技術領域上都要有所突破。
與其它芯片技術相同,Micro-LED 也將牽扯龐大的產業(yè)鏈與原材料問題,從原料到點亮屏幕,分為上游、中游和下游,每個環(huán)節(jié)都與最終成品息息相關,其中較為關鍵的技術包括驅動 IC、驅動背板和封裝。[19]
產業(yè)正蓄勢待發(fā)
作為終極目標,Micro-LED 無疑是顯示領域的明星。
2000 年以來,得州理工大學教授提出 Micro-LED 的概念,堪薩斯州立大學制備基于 Ⅲ 族氮化物 Micro-LED[20],學術界自此掀起研究浪潮。尤其在 2006 年后,開始呈指數型增長。谷歌學術數據顯示,截止目前,Micro-LED 領域已有近 6000 篇文獻。
世界各地研究機構與廠商也相繼投入 Micro-LED 的研究,在消費電子巨頭牽動下,Micro-LED 初步產業(yè)化。
2012 年,索尼發(fā)布 55 英寸高清 Micro-LED 電視面板 Crystal LED,它是首個作為商業(yè)產品出現的產品;
2014 年,蘋果公司收購 Lux Vue,入場 Micro-LED 的技術研究,這項技術真正開始進入大眾視野,迄今為止,蘋果不僅持續(xù)推動 Micro-LED 技術發(fā)展,還發(fā)布了多款 Mini-LED 相關產品;
2018 年,三星于 CES 展推出全球首款模組化拼接的 146 英寸 Micro-LED TV“The Wall”;
2020 年 12 月,三星發(fā)售 110 英寸 Micro-LED 電視;
2021 年 1 月,Vuzix 發(fā)布首款商業(yè)化的 Micro-LED AR 智能眼鏡。[17]
從專利上來看,2002 年~2014 年,Micro-LED 專利申請總量較小。而自 2017 年開始,申請量開始大幅提升。[21]
由于技術難題較多,現階段 Micro-LED 整體市場規(guī)模有限,業(yè)內預計,Micro-LED 在 2024 年將實現大規(guī)模商用化。[22]
據 Research And Markets 統(tǒng)計,2020 年,Micro-LED 的全球市場規(guī)模為 10 億美元,預計到 2027 年將以 77.1% 的年復合增長率增長 [23]。另據高工產研 LED 研究所(GGII)預測,2025 年全球市場規(guī)模將超過 35 億美元,2027 年有望突破 100 億美元 [24]。反觀國內方面,有望在大規(guī)模商用化之后沖擊 800 億元市場規(guī)模。[22]
目前市場側 Micro-LED 應用分為兩大方向,一是以蘋果為代表的可穿戴市場,另一個是以三星、索尼為代表的超大尺寸電視市場。短期來看,市場將集中在超小型顯示器上,中長期來看,Micro-LED 將會橫跨可穿戴設備、超大室內外顯示屏幕、抬頭顯示器(Head-Up Display,HUD)、車尾燈、AR / VR / MR、投影機等多領域。[25]
推進產業(yè)化的企業(yè)主要包括三類:第一類為傳統(tǒng) LED 芯片和封裝企業(yè),如日亞、晶電 Lumens 等企業(yè);第二類為 TFT-LCD 和 OLED 等新型顯示企業(yè),如京東方;第三類為終端企業(yè),如索尼、三星、LG。
產業(yè)化形式上則以合作為主,Micro-LED 以定制化設計為主,加之技術要求較高,行業(yè)呈現高度整合態(tài)勢,面板、芯片、巨量轉移及驅動 IC 等廠商抱團式發(fā)展。[26]
國際上,相關融資也此起彼伏,目標均指向大規(guī)模產業(yè)化。
Micro-LED 在國內也受到熱捧,在政策上不斷傾斜,且投融資動作頻繁。《2022 Mini / Micro LED 顯示產業(yè)白皮書》顯示,僅 2022 年 1 月~8 月,國內就有 30 多家企業(yè)有投資動作,涉及資金總計達 415 億元。[10]
我國產業(yè)鏈上下游企業(yè)也紛紛在 LED、巨量轉移、彩色化、檢測、修復等關鍵技術開展技術合作,形成“京東方 + 華燦光電”“三安 + 華星光電”“富采 + 錼創(chuàng) + 友達 + 群創(chuàng)”三大陣營 [27]。與此同時,國內已展開可穿戴顯示、高清移動顯示、車載顯示、高清大尺寸顯示、超大尺寸拼接商用顯示樣機的研發(fā)及試產工作。[18]
對產業(yè)來說,Micro-LED 未來之路非黑即白,從好的方面來看,市場前景一片光明,從壞的方面來看,短時是銷量的博弈。
一方面,市場下行,面板行業(yè)則是砍單風暴的第一批“受害者”,消費電子需求不濟,不知道這種情況是否會在大規(guī)模商業(yè)化時有所緩解。
另一方面,對普通消費者而言,他們更多關注的是產品的性能、功能及價格,對于采用是哪種技術,并不會過多關心。對于顯示廠商來說,最為重要的,可能便是思考如何讓更多普通消費者感受到 Micro-LED 對生活的改變。
References:
[1] 季洪雷,張萍萍,陳乃軍,等. Micro-LED 顯示的發(fā)展現狀與技術挑戰(zhàn) [J]. 液晶與顯示,2021, 36 (8):1101-1112. DOI:10.37188 / CJLCD.2021-0063.
[2] 蔡克新. Micro-LED 顯示器量化生產關鍵技術 [J]. 電子工業(yè)專用設備,2021.
[3] 楊小慧.二維到三維的突破 —— 未來選擇 Micro-LED—— 專訪國際信息顯示學會(SID)全球財務長、福州大學特聘教授嚴群博士 [J].光電子技術,2022,42 (03):167-168.
[4] 賽迪智庫:Micro LED 顯示研究報告(2019).2019.4.8.http://www.cena.com.cn/ industrynews / 20190408/99708.html
[5] 常鵬,翟玥,吳娜,等.鉀離子摻雜 CsPbCl3:Mn 鈣鈦礦量子點的熒光性能 [J]. 液晶與顯示,2021, 36 (10):1352-1361. DOI:10.37188 / CJLCD.2021-0161.
[6] CSIA:Micro-LED 技術路線圖(2020 版).http://www.casa-china.cn/ uploads / soft / 211202/12_1605156421.pdf
[7] 周律,鄭華,張聲浩,等. Micro-LED 顯示及其驅動技術的研究進展 [J]. 液晶與顯示,2022, 37 (11):1395-1410. DOI:10.37188 / CJLCD.2022-0157.
[8] 《化合物半導體》:從 Mini-LED 到 Micro-LED 顯示器.2021.7.21.https://mp.weixin.qq.com/ s / emHt3d8M4PCAYo49NZbUjg
[9] 季洪雷,陳乃軍,王代青,等. Mini-LED 背光技術在電視產品應用中的進展和挑戰(zhàn) [J]. 液晶與顯示,2021, 36 (7):983-992. DOI:10.37188 / CJLCD.2021-0042.
[10] 《上海證券報》:《2022 Mini / Micro LED 顯示產業(yè)白皮書》發(fā)布.2022.10.14.https://company.cnstock.com/ company / scp_gsxw / 202210/4967706.htm
[11] TIAN P F,MCKENDRY J J D,GU E D,et al. Fabrication,characterization and applications of flexible vertical InGaN micro-light emitting diode arrays [J]. Optics Express,2016,24(1):699-707. doi: 10.1364/oe.24.000699
[12] 周律,鄭華,張聲浩,等. Micro-LED 顯示及其驅動技術的研究進展 [J]. 液晶與顯示,2022, 37 (11):1395-1410. DOI:10.37188 / CJLCD.2022-0157.
[13] 季淵,許怡晴,陳寶良,等.硅基微顯示器發(fā)展現狀與研究進展 [J]. 激光與光電子學進展,2022, 59 (20): 2011007-2011007-12.https://www.researching.cn/ ArticlePdf / m00002/2022/59/20/2011007.pdf
[14] 陳躍,徐文博,鄒軍,石明明,張子博,龐爾躍,李超,邵鵬睿,徐慧.Micro LED 研究進展綜述 [J].中國照明電器,2020 (02):10-17+21.
[15] HUANG Y G,HSIANG E L,DENG M Y,et al. Mini-LED,Micro-LED and OLED displays:present status and future perspectives [J]. Light:Science & Applications,2020,9:105. doi: 10.1038/s41377-020-0341-9
[16] WIERER JR J J,TANSU N. III-nitride micro-LEDs for efficient emissive displays [J]. Laser & Photonics Reviews,2019,13(9):1900141. doi: 10.1002/lpor.201900141
[17] 張麗,黃志正,畢乾,張哲,樊磊.Micro-LED 顯示及驅動 IC 技術 [J].微納電子與智能制造,2021,3 (04):24-31.
[18] 耿怡.Micro-LED 技術和產業(yè)化研究進展 [J].微納電子與智能制造,2021,3 (03):4-7.DOI:10.19816 / j.cnki.10-1594 / TN.2021.03.004.
[19] 利亞德:Micro-LED 顯示技術及應用白皮書.2020.10.https://video.ceultimate.com/ 100009_1909175005 / MicroLED% E6%98% BE% E7% A4% BA% E6%8A%80% E6%9C% AF% E5%8F%8A% E5% BA%94% E7%94% A8% E7%99% BD% E7%9A% AE% E4% B9% A6% EF% BC%88% E7%94% B5% E5% AD%90% E7%89%88% EF% BC%89.pdf
[20] Jin S X, Li J, Li J Z, et al. GaN microdisk light emitting diodes[J]. Applied Physics Letters, 2000, 76(5): 631-633.
[21] 史敏娜,郭學軍,梁明明,王小峰.微型發(fā)光二極管 (Micro LED) 顯示技術的專利分析 [J].科技視界,2021 (34):162-163.DOI:10.19694 / j.cnki.issn2095-2457.2021.34.63.
[22] 盧夢琪. Micro LED 誰主沉?。縖N]. 中國電子報,2022-06-14 (001).
[23] Research And Markets:Micro-LED: Global Strategic Business Report.2022.10.https://www.researchandmarkets.com/reports/4845811/micro-led-global-strategic-business-report
[24] 高工 LED:MIP 封裝,什么來頭?.2022.9.15.https://mp.weixin.qq.com/ s / dPNur8eWBAufKViEKpoDoQ
[25] 廣東晶科電子股份有限公司:首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市
招股說明書.2019.12.http://static.sse.com.cn/ stock / information / c/201912 / e2d8fe781e2446fdbe22d584c51ed07d.pdf
[26] TrendForce 集邦:研報丨富采、錼創(chuàng)合資攻 Micro LED,估至 2024 年 Micro LED 顯示應用芯片產值約 5.42 億美元.2022.11.11.https://mp.weixin.qq.com/ s / xpA0U3KQPIzXTTBtj9F7KQ
[27] OLEDindustry:3 大 MicroLED 陣營形成:富采、錼創(chuàng)將聯手.2022.11.10.https://mp.weixin.qq.com/ s / Q7Nun7N195ujXOV6qWcIEg
本文來自微信公眾號:果殼硬科技 (ID:guokr233),作者:付斌,編輯:李拓
廣告聲明:文內含有的對外跳轉鏈接(包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式),用于傳遞更多信息,節(jié)省甄選時間,結果僅供參考,IT之家所有文章均包含本聲明。