CMOS 傳感器根據(jù)結(jié)構(gòu)可以分成前照式（最傳統(tǒng)的 ）、背照式和堆棧式。堆棧式（也譯為堆疊式、積層式）是在背照式基礎(chǔ)上的進(jìn)一步發(fā)展，同時也是目前最先進(jìn)的結(jié)構(gòu)。
* 堆棧式是更先進(jìn)的背照式傳感器，因此也有廠商會將其稱為“背照堆棧式”傳感器。
** 索尼 CMOS 產(chǎn)品的品牌是 Exmor，背照式叫 Exmor R，而堆棧式叫 Exmor RS。
堆棧式 CMOS 的主要特點(diǎn)包括：
① 實(shí)現(xiàn)了像素、電路的分層放置，電路層代替了背照式 CMOS 中的基板。
② 電路部分擁有了更大的空間，也能引入更先進(jìn)的制造工藝來進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模，進(jìn)而讓整塊 CMOS 達(dá)到更高性能。
③ 除了像素層和電路層外，還可以附加高速緩存層（DRAM）進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸速度；或?qū)⒐怆姸O管與像素晶體管分層放置進(jìn)一步提高成像質(zhì)量。
④ 因為堆疊放置，整個 CMOS 模塊的尺寸可以更小巧。
總結(jié)下來，堆棧結(jié)構(gòu)的是讓傳感器速度更快、尺寸更小。速度快，不僅能提升對焦、連拍性能，還能提供更具可用性的電子快門（畸變小、視頻果凍小、可以閃光同步）；尺寸小，則有利于手機(jī)、智能手表、MR / AR 眼鏡等空間寸土寸金的設(shè)備。
↓ 以下結(jié)構(gòu)示意圖均來自索尼新聞稿 ↓
▲ 背照式 CMOS（左）與堆棧式 CMOS（右）
▲ 普通堆棧式 CMOS（左）與集成 DRAM 的堆棧式 CMOS（右）
▲ 普通 CMOS（左）與雙層晶體管像素堆棧式 CMOS（右）
堆棧式傳感器的最大缺點(diǎn)是成本高（尤其是內(nèi)置 DRAM 的產(chǎn)品）。因此從 2015 年索尼 RX100M4、RX10M2 在相機(jī)領(lǐng)域首次引入堆棧式 CMOS 以來，到現(xiàn)在采用堆棧式傳感器的相機(jī)依然數(shù)量有限 —— 可換鏡頭產(chǎn)品就更少了，兩只手就能數(shù)過來。
* 新一代手機(jī)里，絕大部分傳感器都是堆棧式了。大多數(shù)產(chǎn)品主要利用小的特性，速度上到?jīng)]有特別快。
索尼（均包含 DRAM）
Alpha 1（2021 年 1 月，全畫幅，50MP）
Alpha 9II（2019 年 10 月，全畫幅，24MP）
Alpha 9（2017 年 4 月，全畫幅，24MP）
RX100M4 / M5 / M5A / M6 / M7、RX10M2 / M3 / M4、ZV-1 / ZV-1F（均為 Type 1 20MP）
佳能
EOS R3（2021 年 4 月，全畫幅，24MP）
G7XIII、G5XII（2019 年 7 月，Type 1，20MP，無 DRAM）
尼康 Z 9（2021 年 10 月，全畫幅，45MP，應(yīng)該具備 DRAM）
奧之心 OM-1（2022 年 2 月，Type 4/3，20MP）
富士 X-H2S（2022 年 5 月，APS-C，26MP）
本文來自微信公眾號：相機(jī)筆記 （ID：xjbiji），作者：滕飛 et
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。