IT之家訊 根據(jù) Engadget的報(bào)道，作為世界最大固態(tài)硬盤制造商之一，三星計(jì)劃將在旗下的SSD新產(chǎn)品中用上3-Bit MLC以及與TLC V-NAND一樣為人所熟知的3D垂直V-NAND閃存技術(shù)，將取代舊愛HDD機(jī)械硬盤。
3bit V-NAND閃存，利用三星獨(dú)有的3D電荷捕獲型柵極存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，每片閃存芯片由32層垂直堆疊的存儲(chǔ)單元組成，單片閃存的存儲(chǔ)容量可達(dá)128GB，并且這種技術(shù)在最近推出的850 EVO已經(jīng)開始投入量產(chǎn)。
在此之前，三星的V-NAND技術(shù)已經(jīng)能夠量產(chǎn)并且應(yīng)用到自家的旗艦系列850 Pro固態(tài)硬盤上，同時(shí)這種技術(shù)也號(hào)稱有著十年的生命期。對(duì)于渴望固態(tài)硬盤帶來的高速快感，但是卻因容量需求和價(jià)格被迫選擇老式硬盤的用戶，這必定是一個(gè)好消息。
科普：什么是3D V-NAND技術(shù)？
三星SSD全新3D V-NAND技術(shù)3D是指立體存儲(chǔ)，V指的是垂直存儲(chǔ)，說起來就是不再追求縮小cell單元，而是通過3D堆疊技術(shù)封裝更多cell單元，這樣也可以達(dá)到容量增多的目的。三星3D V-NAND技術(shù)分為兩部分，3D(立體)化和V(垂直)堆疊化首先來看看3D化的含義：NAND使用的是浮柵極MOSFET，電子儲(chǔ)存在柵極中，每次寫入都會(huì)消耗柵極中的電子，一旦電子用光那就壽終正寢了三星放棄了傳統(tǒng)的浮柵極結(jié)構(gòu)，而是選擇了用控制柵極和絕緣層將MOSFET環(huán)形包裹起來。這種3D環(huán)形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提升了儲(chǔ)存電荷的的物理區(qū)域，從而提高性能和可靠性。
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