IT之家訊 8月22日消息，如果說上周五是CPU迷們的節(jié)日的話（因為AMD和Intel的下一代CPU都已經(jīng)曝光），那么今天高興的就是存儲設(shè)備的發(fā)燒友了。繼海力士和三星公布HBM3顯存細節(jié)和鎂光公布GDDR6顯存規(guī)格之后，鎂光公司又在今天正式公布了DDR4下一代的繼任者：DDR5內(nèi)存的具體規(guī)格。
根據(jù)鎂光的計劃，DDR5內(nèi)存將會成為DDR4的繼任者，規(guī)格方面8GB容量起步，最高可達到32GB，I/O訪問能夠提供3.2Gbps~6.4Gbps的帶寬，電壓為1.1V，而內(nèi)存帶寬為DDR4內(nèi)存的兩倍。鎂光同時在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將會從3200Mhz起步，主流內(nèi)存頻率為6400MHz。
鎂光同時宣布DDR5內(nèi)存將會在2018年成功流片提供樣品，而在2019年正式量產(chǎn)。預計DDR5內(nèi)存普及將會在2020年，所以想換DDR5內(nèi)存的朋友們還是需要再等等。
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