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DDR4內(nèi)存繼任者來(lái)了:DDR5內(nèi)存兩年后誕生

2016/8/22 10:45:02 來(lái)源:IT之家 作者:白貓 責(zé)編:白貓

IT之家訊 8月22日消息,如果說(shuō)上周五是CPU迷們的節(jié)日的話(因?yàn)锳MD和Intel的下一代CPU都已經(jīng)曝光),那么今天高興的就是存儲(chǔ)設(shè)備的發(fā)燒友了。繼海力士和三星公布HBM3顯存細(xì)節(jié)鎂光公布GDDR6顯存規(guī)格之后,鎂光公司又在今天正式公布了DDR4下一代的繼任者:DDR5內(nèi)存的具體規(guī)格。

根據(jù)鎂光的計(jì)劃,DDR5內(nèi)存將會(huì)成為DDR4的繼任者,規(guī)格方面8GB容量起步,最高可達(dá)到32GB,I/O訪問(wèn)能夠提供3.2Gbps~6.4Gbps的帶寬,電壓為1.1V,而內(nèi)存帶寬為DDR4內(nèi)存的兩倍。鎂光同時(shí)在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將會(huì)從3200Mhz起步,主流內(nèi)存頻率為6400MHz。

鎂光同時(shí)宣布DDR5內(nèi)存將會(huì)在2018年成功流片提供樣品,而在2019年正式量產(chǎn)。預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存普及將會(huì)在2020年,所以想換DDR5內(nèi)存的朋友們還是需要再等等。

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