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內(nèi)存怒飆:DDR5、GDDR6、LPDDR5與HBM3皆亮相

2016/8/23 23:22:49 來(lái)源:IT之家 作者:仲平 責(zé)編:仲平

在Hot Chip2016大會(huì)中,我們可以見(jiàn)到不少關(guān)于GDDR5、DDR5以及HBM3的消息。

目前主流內(nèi)存規(guī)格為DDR4、GDDR5X、GDDR5以及LPDDR4,還有HBM2,但科技的腳步一直往前走,所以我們將會(huì)在未來(lái)數(shù)年內(nèi)見(jiàn)到DDR5、GDDR6、LODDR5以及HBM3出現(xiàn)。

我們最快會(huì)在2017年見(jiàn)到GDDR6、LPDDR5以及DDR5內(nèi)存規(guī)格。

從既有的規(guī)劃來(lái)看,GDDR6、LPDDR5以及DDR5內(nèi)存規(guī)格會(huì)提供更佳的性能表現(xiàn),當(dāng)然在功耗部分也較過(guò)去要低不少。全新的GDDR6可以達(dá)到14Gbps,要比GDDR5的10Gbps和GDDR5X的12Gbps高出一些。至于LPDDR5正式登場(chǎng)前,中間會(huì)有LPDDR4X加入戰(zhàn)局,目前韓系的SK Hynix與Samsung Electronics有相關(guān)產(chǎn)品規(guī)劃。

如果拿之前最高3733Mbps的LPDDR4比較,新版LPDDR4X規(guī)格最高速度可達(dá)4266Mbps,可說(shuō)高出不少,而且最重要部分在于LPDDR4X的VDD電壓不會(huì)比LPDDR4要高。

從數(shù)據(jù)可以看出,相較于LPDDR4內(nèi)存,全新的LPDDR4X可以降低2成功耗,對(duì)于使用這類型內(nèi)存的智能手機(jī)而言,功耗可以降低當(dāng)然是一件好事。

目前只有MWC 2016宣布的聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器支持LPDDR4X內(nèi)存,只是這顆SoC搭配LPDDR4X有點(diǎn)突兀,而且聯(lián)發(fā)科Helio P20至今仍未正式推出,預(yù)計(jì)可能要到2017年初才會(huì)有相關(guān)設(shè)備亮相。

至于HBM 3最快也要等到2019或是2020年才會(huì)推出,目前Samsung Electronics已經(jīng)在IDF 2016的舊金山場(chǎng)放出一些信息。

DDR5部分最小容量會(huì)是8GB,單條最大容量可以達(dá)到32GB,帶寬方面最大則是6.4Gbps,整體有所提升,但電壓仍舊維持在1.1V。

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