在Hot Chip2016大會(huì)中，我們可以見(jiàn)到不少關(guān)于GDDR5、DDR5以及HBM3的消息。
目前主流內(nèi)存規(guī)格為DDR4、GDDR5X、GDDR5以及LPDDR4，還有HBM2，但科技的腳步一直往前走，所以我們將會(huì)在未來(lái)數(shù)年內(nèi)見(jiàn)到DDR5、GDDR6、LODDR5以及HBM3出現(xiàn)。
我們最快會(huì)在2017年見(jiàn)到GDDR6、LPDDR5以及DDR5內(nèi)存規(guī)格。
從既有的規(guī)劃來(lái)看，GDDR6、LPDDR5以及DDR5內(nèi)存規(guī)格會(huì)提供更佳的性能表現(xiàn)，當(dāng)然在功耗部分也較過(guò)去要低不少。全新的GDDR6可以達(dá)到14Gbps，要比GDDR5的10Gbps和GDDR5X的12Gbps高出一些。至于LPDDR5正式登場(chǎng)前，中間會(huì)有LPDDR4X加入戰(zhàn)局，目前韓系的SK Hynix與Samsung Electronics有相關(guān)產(chǎn)品規(guī)劃。
如果拿之前最高3733Mbps的LPDDR4比較，新版LPDDR4X規(guī)格最高速度可達(dá)4266Mbps，可說(shuō)高出不少，而且最重要部分在于LPDDR4X的VDD電壓不會(huì)比LPDDR4要高。
從數(shù)據(jù)可以看出，相較于LPDDR4內(nèi)存，全新的LPDDR4X可以降低2成功耗，對(duì)于使用這類型內(nèi)存的智能手機(jī)而言，功耗可以降低當(dāng)然是一件好事。
目前只有MWC 2016宣布的聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器支持LPDDR4X內(nèi)存，只是這顆SoC搭配LPDDR4X有點(diǎn)突兀，而且聯(lián)發(fā)科Helio P20至今仍未正式推出，預(yù)計(jì)可能要到2017年初才會(huì)有相關(guān)設(shè)備亮相。
至于HBM 3最快也要等到2019或是2020年才會(huì)推出，目前Samsung Electronics已經(jīng)在IDF 2016的舊金山場(chǎng)放出一些信息。
DDR5部分最小容量會(huì)是8GB，單條最大容量可以達(dá)到32GB，帶寬方面最大則是6.4Gbps，整體有所提升，但電壓仍舊維持在1.1V。
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