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UFS/eMMC/LPDDR等究竟是什么?IT之家?guī)阋晃目炊?/h1>
2017/4/18 10:29:51 來(lái)源:IT之家 作者:汐元 責(zé)編:汐元

對(duì)于智能手機(jī)而言,任何一個(gè)部件都有可能影響到手機(jī)的整體性能和體驗(yàn),處理器、內(nèi)存、閃存、屏幕等等。不過(guò)對(duì)于以下剛?cè)腴T的新手用戶而言,當(dāng)和其他網(wǎng)友們熱烈討論UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4這些名詞時(shí),或許會(huì)一頭霧水:這些究竟是什么?別冷場(chǎng),IT之家小編在這里不妨為大家科普一番。

想要了解UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4這些詞的意義和區(qū)別,首先需要了解的是手機(jī)內(nèi)存和閃存這兩個(gè)容易混淆的概念。

內(nèi)存

手機(jī)內(nèi)存(RAM,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。說(shuō)人話,就是我們常說(shuō)的手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存。

在PC平臺(tái),內(nèi)存經(jīng)歷了SIMM內(nèi)存、EDO DRAM內(nèi)存、SDRAM內(nèi)存、Rambus DRAM內(nèi)存、DDR內(nèi)存的發(fā)展,到如今普及到DDR4內(nèi)存,而手機(jī)上采用的LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫,與桌面平臺(tái)的DDR4內(nèi)存相比,面向移動(dòng)平臺(tái)的LPDDR4,其能夠在帶來(lái)等效的性能(速度)的同時(shí),兼顧更少的能源消耗。

閃存

閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,即使斷電也不會(huì)丟失數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(NOR Flash為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。通俗地說(shuō),它就相當(dāng)于電腦中的硬盤,運(yùn)行內(nèi)存在斷電后不會(huì)保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),而要長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失還是需要將數(shù)據(jù)從內(nèi)存寫入到硬盤當(dāng)中。對(duì)于電腦這樣的桌面設(shè)備,我們可以塞進(jìn)去一塊硬盤,而對(duì)于手機(jī)這樣的移動(dòng)設(shè)備,顯然就不現(xiàn)實(shí)了。

于是,1984年,東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡(jiǎn)稱閃存)的概念。特點(diǎn)是非易失性,其記錄速度也非???,同時(shí)體積小,因此后來(lái)被廣泛運(yùn)用于數(shù)碼相機(jī),掌上電腦,MP3、手機(jī)等小型數(shù)碼產(chǎn)品中。Intel是世界上第一個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司,當(dāng)時(shí)為NOR閃存,后來(lái)日立公司于1989年研制了NAND閃存,逐漸替代了NOR閃存。值得一提的是,如今廣泛用于PC上的SSD和手機(jī)的ROM,本質(zhì)上是一家人,都是NAND閃存。

UFS和eMMC

通過(guò)上面的簡(jiǎn)單介紹,大家已經(jīng)能夠理解內(nèi)存和閃存的區(qū)別。那么我們不妨先來(lái)看看閃存規(guī)格eMMC和UFS。其中,eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。是由MMC協(xié)會(huì)所訂立的、主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。簡(jiǎn)單說(shuō),就是在原有內(nèi)置存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上,加了一個(gè)控制芯片,再以統(tǒng)一的方式封裝,并預(yù)留一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口,以便手機(jī)客戶拿來(lái)直接使用。2015年前所有主流的智能手機(jī)和平板電腦都采用這種存儲(chǔ)介質(zhì)。

2011年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)(Joint Electron Device En gineering Council,簡(jiǎn)稱JEDEC)發(fā)布了第一代通用閃存存儲(chǔ)(Universal Flash Storage,簡(jiǎn)稱UFS)標(biāo)準(zhǔn),即UFS 2.0的前身。不過(guò)第一代的UFS并不受歡迎,也沒(méi)有對(duì)eMMC標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生明顯的影響。

到了2013年,JEDEC在當(dāng)年9月發(fā)布了UFS 2.0的新一代閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),UFS 2.0閃存讀寫速度理論上可以達(dá)到1400MB/s,不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢(shì),而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見(jiàn)絀。于是后來(lái)逐漸在高端設(shè)備市場(chǎng)上取代eMMC,成為移動(dòng)設(shè)備的主流標(biāo)配。而實(shí)際上,UFS 2.0共有兩個(gè)版本,其中一個(gè)是HS-G2,也就是目前的UFS 2.0。然而,另個(gè)一個(gè)版本則為HS-G3,可以稱為UFS 2.1,其數(shù)據(jù)讀取速度將飆至1.5G/s,也就是UFS 2.0的兩倍。

那么UFS和eMMC有什么區(qū)別呢?區(qū)別在于,UFS 2.0的閃存規(guī)格則采用了新的標(biāo)準(zhǔn),它使用的是串行接口,很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換。并且它支持全雙工運(yùn)行,可同時(shí)讀寫操作,還支持指令隊(duì)列。相比之下,eMMC是半雙工,讀寫必須分開(kāi)執(zhí)行,指令也是打包的,在速度上就已經(jīng)是略遜一籌了。而且UFS芯片不僅傳輸速度快,功耗也要比eMMC 5.0低一半,可以說(shuō)是當(dāng)下以及日后旗艦手機(jī)閃存的理想搭配。

DDR和LPDDR

DDR=Dual Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

▲DDR結(jié)構(gòu)框架圖

而LPDDR是什么呢?它的全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一種,又稱為mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn),以低功耗和小體積著稱,專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。

DDR內(nèi)存經(jīng)歷了從DDR到DDR2、DDR3以及DDR4時(shí)代,而DDR5的時(shí)代目前還沒(méi)有到來(lái)。從DDR、DDR2發(fā)展到DDR3,頻率更高、電壓更低的同時(shí)延遲也在不斷變大,慢慢改變著內(nèi)存子系統(tǒng),而DDR4最重要的使命是提高頻率和帶寬,每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,擁有高達(dá)4266MHz的頻率,內(nèi)存容量最大可達(dá)到128GB,運(yùn)行電壓正常可降低到1.2V、1.1V。

▲點(diǎn)擊查看大圖

LPDDR的運(yùn)行電壓(工作電壓)相比DDR的標(biāo)準(zhǔn)電壓要低,從第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使內(nèi)部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的帶寬,輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達(dá)3200Mbps,電壓降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X,與LPDDR4相同,只是通過(guò)將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來(lái)節(jié)省額外的功耗,也就是更省電。

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