硬盤(pán)弱爆,IBM磁帶技術(shù)能裝330TB數(shù)據(jù)

2017/8/6 9:34:09 來(lái)源:IT之家 作者:彌塵 責(zé)編:彌塵
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IT之家8月6日消息 磁帶誕生至今已有54年歷史,雖然現(xiàn)在已不多見(jiàn),但并不意味著就已經(jīng)退出歷史舞臺(tái),正好相反,目前磁帶在存儲(chǔ)方面還出現(xiàn)了重大的突破。

日前,IBM公布了世界上最小的磁體(將原子變成納米級(jí)硬盤(pán)),這項(xiàng)新磁帶技術(shù)可實(shí)現(xiàn)201 Gbit/平方英寸的存儲(chǔ)密度,即可以把330TB未壓縮數(shù)據(jù)裝進(jìn)一盤(pán)磁帶,這是當(dāng)前商用磁帶驅(qū)動(dòng)器的20倍。

上述成果是IBM與索尼合作的結(jié)晶,二者在濺射薄層沉積技術(shù)上取得突破才實(shí)現(xiàn)這一存儲(chǔ)容量。事實(shí)上,早在2014年,索尼就已研發(fā)出容量為185TB的磁帶,當(dāng)時(shí)使用的是自主開(kāi)發(fā)的濺射薄層沉積技術(shù),能夠?qū)?.7nm的極細(xì)磁顆粒鋪設(shè)在磁帶上。

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