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DDR5原型內(nèi)存條開始測試:采用7nm工藝

2018/5/6 17:49:05 來源:IT之家 作者:白貓 責(zé)編:白貓

IT之家5月6日消息 Cadence近日發(fā)布公告,稱他們聯(lián)合美光已經(jīng)生產(chǎn)的全球首個DDR5內(nèi)存的原型產(chǎn)品,包括控制器和PHY物理層,采用臺積電7nm工藝制造,目前運行的頻率為4400MHz。

而內(nèi)存的標(biāo)準制定商JEDEC組織則表示會在今年夏季正式確定DDR5內(nèi)存的標(biāo)準,目前對于DDR5的探索主要在于新工藝的驗證以及原型計算單元的檢驗,內(nèi)存的具體規(guī)格乃至形狀還需要夏季的標(biāo)準出來才知道。

根據(jù)Cadence提供的消息,DDR5內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)率為4400MT/s,時序CL達到了42,同時原型內(nèi)存的電壓為1.1V,目前運行的頻率為4400MHz。據(jù)悉根據(jù)JEDEC組織的預(yù)想,未來DDR5內(nèi)存的最高頻率可以達到6400MHz。

此外DDR5允許加入內(nèi)部ECC來制造16Gb、32Gb顆粒,也就是說我們可以看到超大容量的DDR5內(nèi)存出現(xiàn)在市面上。Cadence還表示首款DDR5的內(nèi)存將會在2019年上半年面世,隨后進入快速發(fā)展期,到2022年的市場份額可以達到25%。

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