IT之家10月5日消息 日前，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片已經(jīng)出樣，全新的第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，預(yù)計(jì)2020年美光第四代3D NAND閃存將開始商用。盡管如此，美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
美光第四代3D NAND高達(dá)128層，陣列設(shè)計(jì)方法上繼續(xù)使用CMOS。美光第四代3D NAND改變了用于柵替換的浮柵技術(shù)，這樣可以降低尺寸和成本并提高性能。該技術(shù)完全由美光公司開發(fā)，沒有英特爾介入。
美光現(xiàn)階段正提高96層3D NAND的產(chǎn)量，并于明年開始大量使用。128層3D NAND硬件不會(huì)立即導(dǎo)致每比特成本顯著下降，但是會(huì)隨著時(shí)間推移而下降。后續(xù)工藝節(jié)點(diǎn)也可能具有至少128層，并且如果被廣泛使用，它將大大降低產(chǎn)品每比特成本。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。