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美光第四代3D NAND芯片出樣,高達(dá)128層

2019/10/5 7:00:10 來源:IT之家 作者:阿迷 責(zé)編:阿迷

IT之家10月5日消息 日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片已經(jīng)出樣,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu),預(yù)計(jì)2020年美光第四代3D NAND閃存將開始商用。盡管如此,美光警告稱,使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND高達(dá)128層,陣列設(shè)計(jì)方法上繼續(xù)使用CMOS。美光第四代3D NAND改變了用于柵替換的浮柵技術(shù),這樣可以降低尺寸和成本并提高性能。該技術(shù)完全由美光公司開發(fā),沒有英特爾介入。

美光現(xiàn)階段正提高96層3D NAND的產(chǎn)量,并于明年開始大量使用。128層3D NAND硬件不會(huì)立即導(dǎo)致每比特成本顯著下降,但是會(huì)隨著時(shí)間推移而下降。后續(xù)工藝節(jié)點(diǎn)也可能具有至少128層,并且如果被廣泛使用,它將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

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