三星正在開(kāi)發(fā)第七代 V-NAND 閃存,至少達(dá)到 160 層

2020/4/20 16:46:19 來(lái)源:IT之家 作者:孤城 責(zé)編:孤城

IT之家4月20日消息 根據(jù)外媒TechPowerUp的報(bào)道,三星電子正在開(kāi)發(fā)其第7代V-NAND閃存,第一款產(chǎn)品將至少達(dá)到160層。

外媒表示,三星的160層的V-NAND產(chǎn)品可能會(huì)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層產(chǎn)品大量上市時(shí)推出,時(shí)間大約是2020年底。

IT之家曾報(bào)道,4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào): X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量,擁有1.6Gb/s高速讀寫(xiě)性能和1.33Tb高容量。

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