IT之家 7 月 12 日消息 據(jù)外媒 Neowin 消息，韓國芯片制造商 SK 海力士今日宣布，已經(jīng)利用 EVU 極紫外光光刻機，研發(fā)出 1anm 芯片制造工藝。這項技術(shù)相比 2019 年推出的 1znm 工藝，密度更大，制成的芯片功耗更低。
官方表示，該技術(shù)可以在相同的晶圓面積下，獲得多達 25% 的芯片產(chǎn)量提升。
海力士 1anm 技術(shù)可以使得目前智能手機廣泛使用的 LPDDR4 內(nèi)存芯片達到 4266Mbps 的高速度，與更先進的 LPDDR4X 芯片頻率一致。不僅如此，采用新工藝的內(nèi)存芯片功耗可以降低多達 20%。
IT之家還了解到，搭載海力士最新 1anm 工藝內(nèi)存芯片的智能手機，預(yù)計將在今年下半年上市。海力士未來還會將該工藝應(yīng)用于 LPDDR5 內(nèi)存的生產(chǎn)上。
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