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臺(tái)積電展示 CoWoS 封裝技術(shù)路線圖:128GB HBM2e 顯存,已用于 AMD MI200

2021/8/23 9:05:00 來源:IT之家 作者:信鴿 責(zé)編:信鴿

IT之家 8 月 23 日消息 據(jù)外媒 Wccftech 消息,臺(tái)積電近期公布了 CoWoS 封裝技術(shù)的路線圖,并公布第五代 CoWoS 技術(shù)已經(jīng)得到應(yīng)用并量產(chǎn),可以在基板上封裝 8 片 HBM2e 高速緩存,總?cè)萘靠蛇_(dá) 128GB。

臺(tái)積電的這項(xiàng)技術(shù)已近發(fā)展了多年,CoW(Chip on Wafer) 意味著在基板上封裝硅芯片;而 WoW(Wafer on Wafer)意味著在基板上再層疊一片基板。

官方表示第 5 代技術(shù)的晶體管數(shù)量是第 3 代的 20 倍。新的封裝技術(shù)增加了 3 倍的中介層面積,使用了全新的 TSV 解決方案,更厚的銅連接線。目前,這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)用于制造 AMD MI200“Aldebaran”專業(yè)計(jì)算卡,其中封裝了 2 顆 GPU 核心、8 片 HBM2e 緩存。

路線圖顯示,臺(tái)積電第 6 代 CoWoS 封裝技術(shù)有望于 2023 年推出,其同樣在基板上封裝 2 顆運(yùn)算核心,同時(shí)可以板載多達(dá) 12 顆 HBM 緩存芯片。

臺(tái)積電還表示,新技術(shù)同時(shí)也使用了性能更好的導(dǎo)熱方式,第 5 代技術(shù)使用了金屬導(dǎo)熱材料,熱阻降低至此前的 0.15 倍,有助于這類高性能芯片散熱。

IT之家獲悉,AMD 在 7 月末透露,采用 CDNA 2 架構(gòu)的 Instinct MI200 Alderbaran 計(jì)算卡已經(jīng)出貨并交付。這款產(chǎn)品擁有多達(dá) 256 個(gè)計(jì)算單元(CU),總計(jì) 16384 個(gè)流處理器,同時(shí)還具備 16 個(gè) SE 著色器單元。

臺(tái)積電 CoWoS 技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)方法:

以下為臺(tái)積電 CoWoS 技術(shù)的詳細(xì)說明:

從官方資料顯示,2022 年將會(huì)推出 5nm、3nm 制程的芯片,同時(shí)芯片之間互聯(lián)導(dǎo)線的間距也將逐步減小,從 9 微米降低至 0.9 微米,預(yù)計(jì)在 2035 年之前實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

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