IT之家 12 月 24 日消息，今天，小米發(fā)布了自研的第三款芯片澎湃 P1。雷軍稱，小米 12 Pro 搭載澎湃 P1 充電芯片，行業(yè)首次實現“120W 單電芯”充電技術。
小米現已發(fā)布澎湃 P1 的詳細介紹，官方稱澎湃 P1 填補了 120W 單電芯快充行業(yè)空白。
小米表示，過去的單電芯快充體系中，要把輸入手機的 20V 電壓轉換成可以充入電池的 5V 電壓，需要 5 個不同種電荷泵的串并聯電路。大量的電荷泵和整體串聯的架構會帶來很大的發(fā)熱量，實際使用中完全無法做到長時間滿功率運行，更難以做到 120W 高功率快充。
驅動小米 120W 澎湃秒充的核心是兩顆小米自研智能充電芯片：澎湃 P1。它們接管了傳統(tǒng)的 5 電荷泵復雜結構，將輸入手機的高壓電能，更高效地轉換為可以直充電池的大電流。
小米表示，澎湃 P1 作為業(yè)界首個諧振充電芯片，擁有自適應開關頻率的 4:1 超高效率架構，諧振拓撲效率高達 97.5%，非諧振拓撲效率為 96.8%，熱損耗直線下降 30% 。
澎湃 P1 本身承擔了大量的轉換工作：傳統(tǒng)電荷泵只需要兩種工作模式（變壓、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 轉換模式，并且所有的模式都需要支持雙向導通，這意味著總共需要 15 種排列組合的模式切換控制 —— 是傳統(tǒng)電荷泵的 7 倍。正向 1:1 模式讓亮屏充電效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充電器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充電。
小米稱，澎湃 P1 也是小米充電效率最高的 4:1 充電芯片，可做到 0.83W / mm2 超高功率密度，LDMOS 也達到業(yè)界領先超低 1.18mΩmm2 RSP。而澎湃 P1 芯片內部需要用到三種不同耐壓的 FLY 電容，每顆電容需要獨立的開短路保護電路，而每種工作模式又需要嚴格控制預充電壓，功率管數量接近傳統(tǒng)電荷泵的兩倍。并且因為拓撲設計和功能復雜度的提升，每片澎湃 P1 在出廠時都需要通過 2500 多項測試，遠高于傳統(tǒng)電荷泵。
IT之家了解到，即將在 12 月 28 日發(fā)布的小米 12 Pro 是第一款搭載澎湃 P1 的智能手機，它支持有線 120W 澎湃秒充、50W 無線秒充和 10W 無線反向充電。小米表示，小米 12 Pro 的 120W 澎湃秒充技術擁有兩擋模式：低溫模式，“溫度僅 37℃，體溫般舒適”；疾速模式，“一杯咖啡的時間疾速滿電”。
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