IT之家 4 月 25 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，該國東北大學(xué)吉川彰教授與初創(chuàng)企業(yè)合作，研發(fā)新一代半導(dǎo)體材料-氧化鎵的新制造技術(shù)，成本約為傳統(tǒng)方法的百分之一。
傳統(tǒng)方法是加熱使用貴金屬銥制造的容器，熔化其中的材料，制造結(jié)晶。要制造直徑約 15 厘米的實(shí)用性結(jié)晶，僅容器就需要 3000 萬～5000 萬日元（約 253 萬元人民幣），還存在結(jié)晶的質(zhì)量不夠穩(wěn)定等課題。據(jù)稱由于不需要昂貴的容器等原因，利用新方法能以目前約 100 分之 1 的成本制造氧化鎵結(jié)晶。
該團(tuán)隊(duì)表示將力爭在 2 年內(nèi)制造出直徑 6 英寸以上的結(jié)晶，推動產(chǎn)業(yè)化。
IT之家了解到，氧化鎵作為功率半導(dǎo)體新一代材料受到期待，據(jù)稱氧化鎵的電力損耗在理論上僅為硅的約 1/3400、碳化硅的約 1/10。如果純電動汽車（EV）的馬達(dá)驅(qū)動用電源采用氧化鎵制的功率半導(dǎo)體，就算電池容量相同，也能行駛更遠(yuǎn)距離。C&A 和東北大學(xué)的團(tuán)隊(duì)將利用新方法降低此前成為瓶頸的生產(chǎn)成本，推動實(shí)用化。
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