IT之家 7 月 16 日消息，據(jù) Sammobile 報道，三星副總裁 Younggwan Ko 最近在韓國水原舉行的一次研討會上表示，隨著存儲半導(dǎo)體變得更強大，封裝技術(shù)必須與存儲半導(dǎo)體一起發(fā)展。將 MSAP 工藝應(yīng)用于其 DDR6 內(nèi)存芯片將允許三星制造具有更精細電路的芯片。
另據(jù) The Elec 報告稱，三星的競爭對手已經(jīng)將 MSAP 封裝技術(shù)用于 DDR5 內(nèi)存，而三星正在努力將這種封裝技術(shù)用于 DDR6。
傳統(tǒng)的封裝方法只把要形成電路圖案的區(qū)域進行涂覆，而將其他區(qū)域蝕刻掉。 但在 MSAP 封裝中，除了電路之外的區(qū)域都經(jīng)過涂層處理，而空白區(qū)域則進行了電鍍，從而可以實現(xiàn)更精細的電路。
IT之家了解到，三星于本周早些時候推出了其首款用于顯卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，報道稱，該公司處于 DDR6 開發(fā)的早期階段，根據(jù)去年的一份報告，其 DDR6 設(shè)計可能會在 2024 年完成。
預(yù)計 DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍，內(nèi)存通道數(shù)也是 DDR5 的兩倍。DDR6（JEDEC）可以實現(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率，或支持超頻到 17000Mbps。
目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達 7200 Mbps 的傳輸速度，因此 DDR6 將提高 0.7 倍，超頻下將提高 1.36 倍。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。