IT之家 9 月 16 日消息，三星電子于去年開始將 DDR5 DRAM 商業(yè)化，這是在行業(yè)中首次應(yīng)用 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝開發(fā)的 DRAM 技術(shù)。
分析機(jī)構(gòu) Tech Insights 表示，三星電子已經(jīng)向芝奇（G.Skill）提供了基于高 K 金屬柵極（HKMG）技術(shù)的 DDR5 DRAM 內(nèi)存顆粒。
“我們已經(jīng)確認(rèn)三星電子的 HKMG DDR5 DRAM 應(yīng)用于芝奇 Trident Z5 系列產(chǎn)品中”。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì) HKMG 將成為下一代 DRAM 行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
TechInsights 一直在拆解市場(chǎng)上的各種 IT 產(chǎn)品，并分析設(shè)備中嵌入的芯片信息。通過(guò)這次拆解，TechInsights 揭示了三星電子 HKMG DDR5 DRAM 的量產(chǎn)產(chǎn)品，并放出了其內(nèi)部電路照片。
IT之家了解到，三星電子于去年 3 月首次宣布 DDR5 DRAM 開發(fā)成功，在業(yè)界首次實(shí)現(xiàn) HKMG 工藝大規(guī)模應(yīng)用。據(jù)介紹，DDR5 數(shù)據(jù)處理速度是 DDR4 的兩倍，起步就能到 4800MHz，而且容量也會(huì)得到提升，但延遲相對(duì)上升。
HKMG 技術(shù)傳統(tǒng)上應(yīng)用于邏輯半導(dǎo)體器件，與傳統(tǒng)材料技術(shù)相比，HKMG 可明顯改善漏電情況，三星方面曾表示該技術(shù)可減少內(nèi)存功耗約 13%，對(duì)注重能源效率的數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用有重要意義，不過(guò)三星并未披露內(nèi)存的實(shí)際商業(yè)化情況，只是表示，“我們計(jì)劃在下一代中根據(jù)客戶需求及時(shí)將內(nèi)存商業(yè)化。
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