IT之家 10 月 3 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，擁有先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)的臺(tái)積電，也在積極布局第三代半導(dǎo)體，與聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等廠商競(jìng)爭(zhēng)。
晶圓代工四強(qiáng)在營(yíng)運(yùn)策略上，不僅要降低景氣循環(huán)帶來(lái)的沖擊，還要在 5G 射頻、人工智能（AI）、高速運(yùn)算（HPC）、汽車電子化增長(zhǎng)確立的趨勢(shì)下，瞄準(zhǔn)下一波的產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)能。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音曾提到，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)值偏小，應(yīng)用端以汽車領(lǐng)域?yàn)槎?，屬特殊技術(shù)，盡管現(xiàn)階段仍無(wú)法跟硅基半導(dǎo)體相比，不過臺(tái)積電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)出的量應(yīng)該還是最大。
法人指出，臺(tái)積電與 IDM 廠及 IC 設(shè)計(jì)業(yè)者合作，第一代硅基板氮化鎵技術(shù)平臺(tái)，已于去年完成并進(jìn)一步強(qiáng)化，支持多元應(yīng)用，開發(fā)中的第二代硅基板 GaN 技術(shù)平臺(tái)預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成。
此外，聯(lián)電以轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電投入第三代半導(dǎo)體。據(jù)分析，聯(lián)電集團(tuán)和臺(tái)積電在第三代半導(dǎo)體發(fā)展策略并不相同，臺(tái)積電聚焦的是氮化鎵、主攻功率半導(dǎo)體，聯(lián)電則是功率與微波并進(jìn)。
世界先進(jìn)則是與設(shè)備材料、硅基板廠攜手合作，開發(fā) 8 寸新基板材料。世界先進(jìn)認(rèn)為，化合物半導(dǎo)體占半導(dǎo)體整體市值雖僅 1%，但氮化鎵、碳化硅等新材料衍生的商機(jī)可期。
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