IT之家 10 月 27 日消息，Strategy Analytics 電動汽車服務(wù)（EVS）近期發(fā)布的報告指出，電動汽車面臨著消費者對“里程焦慮”和“充電焦慮”的擔憂，汽車制造商的應(yīng)對措施是進一步整合零部件，利用電力電子技術(shù)的進步提高動力系統(tǒng)效率，使用 800 伏 + 的電力網(wǎng)絡(luò)縮短充電時間。
IT之家獲悉，該報告指出，碳化硅 (SiC) 是許多寬頻帶隙技術(shù)中的一種，被用于提高開關(guān)電源的效率，以驅(qū)動電動機，通過車載充電器接收電荷和轉(zhuǎn)換直流電。
Strategy Analytics 全球汽車實踐 (GAP) 首席分析師 Kevin Mak 表示：“隨著汽車制造商將業(yè)務(wù)調(diào)整為‘全電動’，它們之間的競爭加劇了。寬禁帶技術(shù)，如碳化硅，使電機逆變器能夠在更高的結(jié)溫下運行，從而降低其熱管理要求。提高電源開關(guān)的性能導(dǎo)致更小的逆變器，使電動牽引電機旋轉(zhuǎn)更快，提高扭矩輸出，提高電池電動動力系統(tǒng)性能。寬禁帶技術(shù)還可以使部件變得更小，這意味著動力系統(tǒng)的尺寸、重量和功率都得到了改善，同時也使集成系統(tǒng)更具靈活性。800 伏技術(shù)還使汽車制造商能夠使用更輕的電纜，比使用更低的電壓提取電力更快?！?/p>
寬禁帶或?qū)拵叮╓BG）是指碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體器件，其中需要相對較高的能量才能將電子從原子“價（valence）”帶移動到其“導(dǎo)（conduction）”帶，在導(dǎo)帶電子可用于電流流動?！皫丁钡牧慷仁请娮臃兀╡V），硅（Si）的帶隙值約為 1.1eV，而 SiC 為 3.2eV，GaN 為 3.4eV。高帶隙值可提供更高臨界擊穿電壓和更低泄漏電流，尤其是在高溫下更是如此。寬帶隙器件還具有更好的電子飽和速度，從而可以更快地開關(guān)。SiC 還具有特別好的導(dǎo)熱性。
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