IT之家 12 月 2 日消息,北京天科合達半導(dǎo)體近期發(fā)布了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品。該公司介紹了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品各項關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)指標,并宣布將于 2023 年實現(xiàn) 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)。
IT之家了解到,2021 年徐州天科合達生產(chǎn)基地 6 英寸系列產(chǎn)品產(chǎn)能達全國首位,目前北京大興總部基地 6 英寸產(chǎn)能正持續(xù)突破。
天科合達是國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域龍頭企業(yè),一直持續(xù)突破更大尺寸、更高質(zhì)量碳化硅襯底制備的關(guān)鍵核心技術(shù)。
各項指標公布如下:
(1)8 英寸碳化硅晶體 (直徑可達 209mm) 及晶片外觀圖
(2)拉曼光譜測試數(shù)據(jù)表明,8 英寸碳化硅襯底 100% 面積為 4H 晶型
(3)XRD 三點搖擺曲線數(shù)據(jù)顯示,半高寬小于 20 arcsec
(4)位錯缺陷密度測試結(jié)果顯示,EPD<4000 個每平方厘米,TSD<100 個每平方厘米,BPD<200 個每平方厘米,位錯密度整體處于國際領(lǐng)先水平
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