天科合達發(fā)布 8 英寸碳化硅襯底新產(chǎn)品，明年導(dǎo)電型將小規(guī)模量產(chǎn)

IT之家 12 月 2 日消息，北京天科合達半導(dǎo)體近期發(fā)布了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品。該公司介紹了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品各項關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)指標，并宣布將于 2023 年實現(xiàn) 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)。

IT之家了解到，2021 年徐州天科合達生產(chǎn)基地 6 英寸系列產(chǎn)品產(chǎn)能達全國首位，目前北京大興總部基地 6 英寸產(chǎn)能正持續(xù)突破。

天科合達是國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域龍頭企業(yè)，一直持續(xù)突破更大尺寸、更高質(zhì)量碳化硅襯底制備的關(guān)鍵核心技術(shù)。

各項指標公布如下：

（1）8 英寸碳化硅晶體 (直徑可達 209mm) 及晶片外觀圖

（2）拉曼光譜測試數(shù)據(jù)表明，8 英寸碳化硅襯底 100% 面積為 4H 晶型 

（3）XRD 三點搖擺曲線數(shù)據(jù)顯示，半高寬小于 20 arcsec

（4）位錯缺陷密度測試結(jié)果顯示，EPD＜4000 個每平方厘米，TSD＜100 個每平方厘米，BPD＜200 個每平方厘米，位錯密度整體處于國際領(lǐng)先水平

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