IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。
官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯片的速度。
SK 海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，以英特爾 MCR 技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在 MCR DIMM 上的數(shù)據(jù)緩沖器 (data buffer) 同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。
傳統(tǒng) DRAM 模塊每次只能向 CPU 傳輸 64 個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在 MCR DIMM 模塊中，兩個(gè)內(nèi)存列同時(shí)運(yùn)行可向 CPU 傳輸 128 個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)?CPU 的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到 8Gbps 以上，是單個(gè) DRAM 的兩倍。
該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發(fā)到速度和性能驗(yàn)證的各個(gè)階段都進(jìn)行了緊密的合作。
SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品策劃擔(dān)當(dāng)副社長柳城洙認(rèn)為這款產(chǎn)品的成功開發(fā)取決于不同技術(shù)的結(jié)合。柳城洙表示：“SK 海力士的 DRAM 模塊設(shè)計(jì)能力與英特爾卓越的 Xeon 處理器、瑞薩電子的緩沖器技術(shù)融為一體。為確保 MCR DIMM 的穩(wěn)定運(yùn)行，模塊內(nèi)外數(shù)據(jù)緩沖器和處理器能夠順暢交互至關(guān)重要?！?/p>
數(shù)據(jù)緩沖器負(fù)責(zé)從中間的模塊傳輸多個(gè)信號，服務(wù)器 CPU 則負(fù)責(zé)接受和處理來自緩沖器的信號。
柳副社長還表示：“開發(fā)出業(yè)界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術(shù)的又一長足進(jìn)步。我們將繼續(xù)尋求突破技術(shù)壁壘，鞏固在服務(wù)器 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內(nèi)存創(chuàng)新、針對服務(wù)器的高性能、可擴(kuò)展的 DDR5 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，在同一梯隊(duì)的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。
“此次采用的技術(shù)源于英特爾和關(guān)鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術(shù)能夠應(yīng)用到未來的英特爾 Xeon 處理器上，支持業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)化和多世代開發(fā)?！?/p>
瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門長 Sameer Kuppahalli 表示，該數(shù)據(jù)緩沖器從構(gòu)思到實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，“對于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術(shù)轉(zhuǎn)化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪?！?/p>
IT之家了解到，SK 海力士預(yù)計(jì)，在高性能計(jì)算對于內(nèi)存帶寬提升需求的驅(qū)動下，MCR DIMM 的市場將會逐步打開，公司計(jì)劃在未來量產(chǎn)該產(chǎn)品。
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