IT之家 12 月 9 日消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司近期使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量 4 英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了 4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進行了多次重復(fù)性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料 4 英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
據(jù)晶片測試分析，其結(jié)晶質(zhì)量和加工技術(shù)也保持在產(chǎn)品級標準。勞厄測試衍射斑點清晰、對稱，說明晶體單晶性良好，無孿晶，XRD 顯示晶面（001）面半峰全寬低至 72arcsec，加工后晶片表面粗糙度 AFM (Rq) 低至 0.5nm。
穩(wěn)態(tài)氧化鎵晶體為單斜結(jié)構(gòu)，存在（100）和（001）兩個解理面，就生長工藝而言，主面為（100）晶相氧化鎵晶體更易于生長，主面為（001）晶體的生長工藝卻要求極高的工藝過程控制，就加工工藝而言，相同加工條件下（001）面表面質(zhì)量和成品率更優(yōu)，（100）面極易解理破碎，難以實現(xiàn)高效高表面質(zhì)量加工。從應(yīng)用端來看，主面（001）晶相氧化鎵更適于功率半導(dǎo)體器件的使用，因此控制生長主面（001）晶相氧化鎵晶體難度大，但卻極具產(chǎn)業(yè)化價值，抑或說不具備大尺寸主面（001）晶相氧化鎵晶體的生長工藝，氧化鎵市場應(yīng)用端推動過程將極為困難。
同時，銘鎵公司光學晶體已完成中試，開始轉(zhuǎn)型規(guī)?；慨a(chǎn)，其生產(chǎn)的摻雜人工光學晶體已獲得客戶的廣泛認可，另外磷化銦多晶材料產(chǎn)線也已上線運營，完成重點客戶認證工作，并獲得長期穩(wěn)定性訂單。
IT之家了解到，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司是新型高頻率高功率半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化先行者之一，致力于半導(dǎo)體人工晶體產(chǎn)業(yè)的多元化發(fā)展，并從事相關(guān)高頻率高功率器件的設(shè)計研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。研發(fā)總部位于北京順義，主要生產(chǎn)基地位于河南，器件研發(fā)位于深圳，公司擁有總面積超 20000 平的完整材料研發(fā)和生產(chǎn)產(chǎn)線。
今年 6 月底，銘鎵半導(dǎo)體完成近億元 A 輪融資，本輪融資主要用于氧化鎵項目的擴產(chǎn)與研發(fā)，預(yù)計 2023 年底將建成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。2021 年，2 英寸氧化鎵襯底材料實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，除科研院所研發(fā)之外，還提供給重要的企業(yè)客戶小批量使用。
銘鎵半導(dǎo)體國際化研發(fā)產(chǎn)業(yè)團隊核心成員包括來自日本國立佐賀大學、東京大學、東京工業(yè)大學、清華大學、九州大學、中國科學院等多位博士研發(fā)團隊，以及露笑科技、中芯國際等多位 10 余年工作經(jīng)驗的總監(jiān)型產(chǎn)業(yè)技術(shù)人才，在職員工近百人。
銘鎵半導(dǎo)體自主研制，構(gòu)建了滿足氧化鎵單晶生長、氧化鎵異質(zhì) / 同質(zhì)外延片生長、多重摻雜大尺寸人工光學晶體生長、磷化銦多晶 / 單晶晶體生長、晶體加工、芯片器件系統(tǒng)制作及檢測等技術(shù)開發(fā)和成品化規(guī)模生產(chǎn)的創(chuàng)新研發(fā)基地。為全國從事高頻率高功率半導(dǎo)體材料后端器件開發(fā)的研究機構(gòu)和企業(yè)提供上游材料保障。
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