IT之家 4 月 6 日消息,據(jù)紅旗官方發(fā)布,研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部與中國電子科技集團第 55 研究所聯(lián)合開發(fā)的紅旗首款全國產(chǎn)電驅(qū)用 1200V 塑封 2in1 碳化硅功率模塊 A 樣件試制完成,達成電驅(qū)用碳化硅功率半導體設計與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化,打破了國際芯片壟斷。
塑封 2in1 功率模塊 A 樣件率半導體憑借其耐高壓、低損耗、耐高溫、高頻化等材料優(yōu)勢,成為實現(xiàn)新能源電驅(qū)系統(tǒng)行業(yè)領先的核心路徑。
應用高密度高可靠元胞結(jié)構(gòu)、芯片電流增強技術(shù)、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細結(jié)構(gòu)加工工藝等,碳化硅芯片比導通電阻達到 3.15mΩ?cm2,導通電流達到 120A,技術(shù)指標達到國際先進水平。(IT之家注:導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。)
創(chuàng)新應用行業(yè)領先的三端子母排疊層結(jié)構(gòu)、高可靠銅線互聯(lián)技術(shù)與高散熱橢圓 PinFin 散熱水道,配合大尺寸環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封與高耐溫銀燒結(jié)芯片貼裝工藝,實現(xiàn)模塊寄生電感≤6.5nH,模塊持續(xù)工作結(jié)溫 175℃,輸出電流有效值達到 550A。
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