IT之家 5 月 19 日消息，根據(jù) Revegnus（@Tech_Reve）分享的推文消息，高通驍龍 8 Gen 4 處理器將采用臺(tái)積電的 3nm 工藝（N3E）；而驍龍 8 Gen 4 for Galaxy 處理器采用三星的 3nm GAP 工藝。
IT之家注：Revegnus 此前有過多次準(zhǔn)確爆料，有一定的可信度。不過距離三星發(fā)布 Galaxy S25 還有 2 年的時(shí)間，相關(guān)信息需等到 2024 年年底才會(huì)進(jìn)一步清晰。
三星和臺(tái)積電代工的驍龍芯片雖然都使用 3nm 工藝量產(chǎn)的，但在性能、功耗方面肯定存在差異，就看三星如何把控這些工藝，縮短差距了。
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