IT之家 5 月 22 日消息，三星半導(dǎo)體（Samsung Foundry）計(jì)劃在 2023 年 6 月的 VLSI Symposium 2023 上公布其升級版的 3 納米和 4 納米芯片制造工藝，該活動將于 2023 年 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。在這次芯片行業(yè)盛會上，這家韓國芯片制造商將詳細(xì)介紹其第二代 3 納米和第四代 4 納米工藝。這兩種新工藝對于三星半導(dǎo)體來說很重要，因?yàn)樗鼈儗⒂兄谄浍@得更多客戶。
IT之家注意到，三星半導(dǎo)體使用的 4 納米工藝曾經(jīng)遭到過很多批評，因?yàn)槠湫蔬h(yuǎn)不及臺積電（TSMC）用于制造蘋果 A16、高通驍龍 8 Gen 2、聯(lián)發(fā)科天璣 9000 和英偉達(dá) RTX 4000 系列 GPU 的 4 納米工藝，而三星半導(dǎo)體使用該工藝制造了 Exynos 2200 和驍龍 8 Gen 1 芯片組。
三星半導(dǎo)體的 SF3 芯片制造工藝將采用 3 納米 GAP 技術(shù)，是 SF3E 工藝的改進(jìn)版本，后者用于在 2022 年下半年制造芯片。這種新工藝依賴于三星改進(jìn)的 GAA（全包圍柵極）晶體管，該公司稱之為 MBCFET（多橋通道場效應(yīng)晶體管）。與 SF4（第二代 4 納米）相比，這種節(jié)點(diǎn)承諾會有進(jìn)一步優(yōu)化，但該公司沒有直接與其第一代 3 納米工藝進(jìn)行比較。據(jù)稱，SF3 在相同功耗下速度提高了 22%，或者在相同時(shí)鐘速度和晶體管數(shù)量下功耗降低了 34%，還能使邏輯面積縮小 21%。
通常情況下，三星的第一代芯片制造工藝并不被廣泛使用，而后續(xù)幾代則會被各種芯片公司使用。根據(jù)三星半導(dǎo)體的過往記錄，其第二代 3 納米芯片制造技術(shù)可能會被至少一個(gè)主要芯片客戶使用。有傳言稱，Exynos 2500 和驍龍 8 Gen 4 可能會使用 SF3 工藝。
該公司的第四代 4 納米工藝則旨在用于高性能計(jì)算應(yīng)用，如服務(wù)器 CPU 和 GPU，與 SF4（第二代 4 納米）相比，提供了 10% 的性能提升和 23% 的功耗降低。這種新工藝將與臺積電的 N4P（第二代 4 納米）和 N4X（第三代 4 納米）節(jié)點(diǎn)競爭，后者分別將于 2024 年和 2025 年推出。據(jù) AnandTech 報(bào)道，三星半導(dǎo)體的 SF4X 是該公司近年來首個(gè)以高性能計(jì)算為目標(biāo)的節(jié)點(diǎn)。
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