IT之家 5 月 26 日消息，傳統(tǒng)半導體芯片性能主要取決于多層晶體管的密集堆疊，如今隨著新興的人工智能，發(fā)展計算機芯片所需要的成分越發(fā)高昂。
麻省理工學院（MIT）華裔科學家朱家迪領軍的原子級晶體管研究于 4 月取得突破，該項目采用氣象沉淀逐層堆疊工藝生產，不再需要使用光刻機，即可生產出一納米甚至以下制程的芯片。這將使計算機的尺寸縮小到只有目前的千分之一大小，且功耗也只有目前的千分之一。
新晶體管只有大約三個原子的厚度，因此堆疊起來可以制造成本更低，性能更強大的芯片。麻省理工學院的研究人員也因此開發(fā)了一種新技術，可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生長”金屬二硫化物 (TMD) 材料層，以實現(xiàn)芯片晶體管更密集的集成性。
由于芯片制造過程通常需要大約 600 攝氏度的溫度，而硅晶體管和電路在加熱到 400 攝氏度以上時可能會損壞，因此將晶體管材料直接“生長”到硅晶圓上是一項重大挑戰(zhàn)。
現(xiàn)在，麻省理工學院研究人員的跨學科團隊已經開發(fā)出一種不會損壞芯片的低溫“生長”工藝。該技術允許將二維半導體晶體管直接集成在標準硅電路之中。
新技術還能夠顯著減少生長這些材料所需的時間。以前的方法需要超過一天的時間來制造芯片用的單層二維材料，而新方法可以在不到一個小時的時間內在整個 8 英寸晶圓上“生長”出均勻的金屬二硫化物 (TMD) 材料層。
IT之家認為，如若這項新技術正式落地，可以大幅降低當下芯片的成本，從而降低整個硬件市場的價格。
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