IT之家 5 月 26 日消息，威剛現(xiàn)已宣布在本月底開始的臺北電腦展 2023 上展示新一代筆記本內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) ——CAMM 內(nèi)存模塊。
如上圖所示，左側(cè)是用于服務(wù)器的 CXL（Compute Express Link）內(nèi)存模塊，擴展內(nèi)存容量高達(dá) 16TB，并提升 AI 與 HPC 的硬件限制、最佳化成本。
右上為 CAMM（Compression Attached Memory Module）內(nèi)存，較傳統(tǒng)筆記本內(nèi)存模塊 SO-DIMM 薄 57%，可有效降低功耗、提升散熱效果，適用于筆電、小型工業(yè)計算機等。
右下為 DDR5 8400 MR-DIMM 內(nèi)存，使用雙列內(nèi)存模塊搭配最新一代數(shù)據(jù)緩充器（Data Buffer），將使數(shù)據(jù)傳輸量提升一倍，加速內(nèi)存模塊整體的運作效率。
據(jù)IT之家早前報道，JEDEC 委員會成員和戴爾高級工程師 Tom Schnell 今年初表示，JEDEC 正在制定新筆記本內(nèi)存規(guī)范，以取代已經(jīng)使用了 25 年的 SO-DIMM 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。戴爾最初打造了 CAMM 內(nèi)存設(shè)計，率先用在了 Precision 7770 移動工作站上。JEDEC 的 CAMM 標(biāo)準(zhǔn)將基于戴爾 CAMM 設(shè)計，最終規(guī)范可能會有所不同。
此前消息稱，首款 JEDEC CAMM 內(nèi)存模塊應(yīng)該會在 SO-DIMM 內(nèi)存達(dá)到 6400 MT / s 時推出，并由此取代 SO-DIMM。
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