5 月 29 日消息，在北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇上，中國(guó)工程院院士、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)主任干勇談到，總體而言我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還相對(duì)比較落后，盡管我們已經(jīng)具有能力設(shè)計(jì)高端半導(dǎo)體芯片，但是整體技術(shù)差距還很大，而且近來(lái)由于國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家的半導(dǎo)體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續(xù)拉大這一差距。
干勇指出，近年世界主要經(jīng)濟(jì)體不斷加大在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)越來(lái)越激烈。比如，美國(guó)在 5 月 22 號(hào)宣布在加州投入 40 億美元，建立一個(gè)大的半導(dǎo)體中心，成為世界最大的半導(dǎo)體基地；5 月 20 號(hào)英國(guó)政府也宣布，將每年投入一億英鎊，十年之內(nèi)集中研究開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)尖端的復(fù)合半導(dǎo)體。
干勇強(qiáng)調(diào)，隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向極限，同時(shí)硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，第三代半導(dǎo)體新材料快速崛起。
此外，基于第三代半導(dǎo)體材料和器件將引領(lǐng)高端電力裝備的顛覆性創(chuàng)新應(yīng)用，推動(dòng)傳統(tǒng)電網(wǎng)向半導(dǎo)體電網(wǎng)發(fā)展。其中，5G 基站、數(shù)據(jù)中心等新型用電設(shè)施的大規(guī)模建設(shè)運(yùn)行，能耗問(wèn)題已成為主要瓶頸，發(fā)展基于第三代半導(dǎo)體材料的高效電能轉(zhuǎn)換技術(shù)刻不容緩。
他認(rèn)為，未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展的兩個(gè)方向，一個(gè)是半導(dǎo)體器件高密度集成和半導(dǎo)體器件的小型化，總體而言我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還相對(duì)比較落后，盡管我們已經(jīng)具有能力設(shè)計(jì)高端半導(dǎo)體芯片，但是整體技術(shù)差距還很大，而且近來(lái)由于國(guó)外總體的，特別發(fā)達(dá)國(guó)家的半導(dǎo)體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續(xù)拉大這一差距。國(guó)外加緊布局，中國(guó)半導(dǎo)體也必須開(kāi)始作為頂層的整合資源式的、集中行動(dòng)的建立大平臺(tái)，培育大產(chǎn)業(yè)，如果不加緊布局，未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)與國(guó)外差距將進(jìn)一步拉大。
干勇建議，第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體在滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等新需求的快速發(fā)展中，在全球信息化發(fā)展和可持續(xù)電極化轉(zhuǎn)型中，我們能夠起到一個(gè)至關(guān)重要的支撐作用，所以我們必須把它作為突破口，這是我國(guó)重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要窗口。
另外，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)尤為重要，加強(qiáng)技術(shù)研究和原始創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，同時(shí)加強(qiáng)全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的協(xié)作。
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