IT之家 6 月 30 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星存儲業(yè)務(wù)高管近日參加了電子工程師協(xié)會 2023 年夏季會議，表示 2030 年 V-NAND 可以疊加到 1000 多層。
三星預(yù)測 V-NAND 的競爭將持續(xù)到 1000 層以上。三星于 2013 年推出 24 層開始，在過去 10 年間，已經(jīng)發(fā)展到 200 多層。
IT之家注：三星最初推出的 V-NAND 每個 die 容量都有 128Gb（16GB），通過 3D 堆疊技術(shù)可以實現(xiàn)最多 24 層 die 堆疊，這意味著 24 層堆疊的總?cè)萘繉⑦_到 384GB。
三星高管表示正因為 V-NAND 的存在，延續(xù)了 NAND 的歷史，是韓國國家創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)的少數(shù)成功事例。
三星高管表示為了推動 1000 層的 NAND 技術(shù)，就像建設(shè)摩天大樓一樣，需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等諸多穩(wěn)定性問題，此外還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴大每層存儲容量等挑戰(zhàn)。
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