IT之家 9 月 3 日消息，英特爾 CEO Pat Gelsinger 在德意志銀行技術(shù)會議（Deutsche Bank's 2023 Technology Conference）上談到了英特爾的產(chǎn)品路線和技術(shù)演進。
“我想說，我昨天剛和我們的技術(shù)開發(fā)團隊去了俄勒岡州，情況還不錯。我們覺得我們在 Intel 18A 方面已經(jīng)步入正軌。對于代工客戶來說，他們需要可靠的 PDK。他們要相信我們能做到這一點。我們對這一領(lǐng)域的興趣正在不斷增加，進展非常順利?！?/p>
“我們相信 Intel 18A 將于明年年底投入生產(chǎn)，讓我們在 2025 年處于領(lǐng)先地位。我們的內(nèi)部產(chǎn)品（如 Clearwater Forest）進展順利，我們的下一代客戶產(chǎn)品都已進入后期設(shè)計階段，代工客戶也是如此?！?/p>
“現(xiàn)在，我們已經(jīng)收到了一大筆客戶預(yù)付的 18A 產(chǎn)能款項?？蛻魧ξ覀円呀?jīng)有了足夠的信心，因此選擇注資以加快我們的 18A 產(chǎn)能。對此，我們感到非常高興?？偟膩碚f，正如我們所說的那樣，一切都在穩(wěn)步推進。客戶的預(yù)付費確實為 18A 的發(fā)展勢頭和制造產(chǎn)能畫上了濃墨重彩的一筆?！?/p>
“臺積電已建立了市場，我們是臺積電的客戶。所以我很清楚他們的晶圓成本、晶圓平均銷售價格、他們向其 N5 客戶、N3 客戶展示的 N2 預(yù)算。我們知道目標是什么。”
英特爾表示，Intel 18A 是英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃的最后一個節(jié)點，目前正在穩(wěn)步按計劃推進內(nèi)部和外部測試芯片中，預(yù)計將于 2024 年下半年實現(xiàn)生產(chǎn)準備就緒，2025 年上市。
英特爾表示，目前有五個以上的內(nèi)部產(chǎn)品正基于最新的 Intel 18A 制程節(jié)點研發(fā)，Intel 18A 預(yù)計將于 2025 年上市。代號為 Clearwater Forest 的下一代能效核英特爾至強可擴展處理器計劃將于 2025 年交付，采用 Intel 18A 制程。
代工方面，Intel 18A 制程節(jié)點最初將通過英特爾內(nèi)部產(chǎn)品提升產(chǎn)量，從而讓該制程的各種問題都能得到妥善解決，因此將在很大程度上為英特爾代工服務(wù)的外部客戶降低新制程的風(fēng)險。日前，英特爾宣布已和新思科技簽署多代合作協(xié)議，深化在半導(dǎo)體 IP 和 EDA（電子設(shè)計自動化）領(lǐng)域的長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為英特爾代工服務(wù)的客戶開發(fā)基于 Intel 3 和 Intel 18A 制程節(jié)點的 IP 產(chǎn)品組合。此前，Arm 已經(jīng)和英特爾代工服務(wù)簽署了涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計的協(xié)議，使芯片設(shè)計公司能夠利用 Intel 18A 開發(fā)低功耗計算系統(tǒng)級芯片（SoC）；英特爾也將采用 Intel 18A 為瑞典電信設(shè)備商愛立信打造定制化 5G 系統(tǒng)級芯片。
同時，英特爾介紹了最新的 RibbonFET 晶體管，它將在 Intel 20A 制程節(jié)點推出。IT之家附 RibbonFET 晶體管簡介：
通過 RibbonFET 晶體管，英特爾實現(xiàn)了全環(huán)繞柵極（GAA, gate-all-around）架構(gòu)。它將和 PowerVia 背面供電技術(shù)一起于 Intel 20A 制程節(jié)點推出，并在 Intel 18A 制程節(jié)點繼續(xù)被采用，助力英特爾重獲制程領(lǐng)先性，提高產(chǎn)品性能，并為英特爾代工服務(wù)的客戶提供更高質(zhì)量的服務(wù)。
在晶體管中，柵極（gate）作用類似于開關(guān)，可控制電流的流通。2012 年，英特爾在業(yè)界率先引入了 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，讓柵極環(huán)繞晶體管溝道的上、左、右三側(cè)，其垂直架構(gòu)讓行業(yè)能夠在芯片中集成更多晶體管，從而有力地推動了摩爾定律在過去十年的延續(xù)。
隨著晶體管尺寸越來越小，短溝道效應(yīng)越來越明顯，電流控制越來越難，F(xiàn)inFET 已經(jīng)達到了物理極限。作為英特爾自 FinFET 之后的首個全新晶體管架構(gòu)，RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管讓帶狀的晶體管溝道整個被柵極環(huán)繞，其好處主要包括以下三個方面：
第一，在 RibbonFET 晶體管中，柵極能夠更好地控制電流的流通，同時在任意電壓下提供更強的驅(qū)動電流，讓晶體管開關(guān)的速度更快，從而提升晶體管的性能；
第二，RibbonFET 晶體管架構(gòu)的水平溝道可以垂直堆疊，而不是像 FinFET 一樣只能將鰭片并排放置，因此能夠以更小的空間實現(xiàn)相同的性能，從而推動晶體管尺寸的進一步微縮。
第三，RibbonFET 還將進一步提升芯片設(shè)計的靈活性，其溝道可以根據(jù)需求加寬或縮窄，從而更適配不同的應(yīng)用場景，不管是手機還是電腦，游戲還是醫(yī)療，汽車還是人工智能，可輕松勝任按需配置。
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