IT之家 9 月 18 日消息，根據(jù)行業(yè)人士 @手機晶片達(dá)人 爆料，英偉達(dá)已經(jīng)跟三星就 3nm GAA 工藝制程進(jìn)行了接洽，如果一切順利則預(yù)定在 2025 年進(jìn)行量產(chǎn)。
Hardwaretimes 此前也曾有過報道，下一代英偉達(dá)旗艦顯卡 RTX 5090 將使用 3nm 工藝，預(yù)計將在明年年底推出。
英偉達(dá) RTX 40 系顯卡代號為 Ada Lovelace，而下一代 RTX 顯卡的代號為 Blackwell，其晶體管數(shù)量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm2，核心時鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達(dá)到 512 bits。
根據(jù)早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個 CUDA（假設(shè)每組 SM 還是 128 個 CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級緩存，匹配 GDDR7 顯存（384bit 位寬），支持 PCIe 5.0 x16。
IT之家曾報道，微星此前在臺北 Computex 電腦展上也一并展示了下一代英偉達(dá) RTX 旗艦顯卡的散熱設(shè)計。
由圖可見，微星使用了動態(tài)雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質(zhì)鰭片中也嵌入了銅片，進(jìn)一步增強散熱，而顯存區(qū)域也有對應(yīng)的銅片，這說明不出意外的話下一代顯卡將針對散熱進(jìn)行著重設(shè)計。
結(jié)合當(dāng)下所曝光的信息，結(jié)合如此散熱條件，RTX 5090 的原始功耗和發(fā)熱應(yīng)該會給人留下深刻的印象。
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