IT之家 10 月 12 日消息,據(jù)三星官方博客消息,面向高性能計算(HPC)的 HBM 內(nèi)存迎來新進(jìn)展,將開發(fā) 9.8Gbps 的 HBM3E 產(chǎn)品,已開始向客戶提供樣品。
此外,HBM4 內(nèi)存以 2025 年為目標(biāo)正在開發(fā)中,為了適用于該產(chǎn)品,正在準(zhǔn)備針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的 NCF 組裝技術(shù)和 HCB 技術(shù)。
IT之家注:NCF(Non-conductive Film,非導(dǎo)電薄膜):用于保護(hù)積層芯片之間的固態(tài)接頭(Solder joint)免受絕緣和機(jī)械沖擊的聚合物層(Polymer layer)。
HCB(Hybrid Copper Bonding,混合粘接):作為新一代粘接技術(shù),采用銅(導(dǎo)體)和氧化膜(絕緣體)的粘接方式,而不是傳統(tǒng)的使用焊接方式。
今年年初,三星 AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊成立,以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。三星計劃與 HBM 一起提供尖端定制封裝服務(wù),包括 2.5 維和 3 維尖端封裝解決方案。
三星表示,用于 AI 服務(wù)的高端 CPU 需要 100 個以上的核心,并且每個核心都要有足夠的內(nèi)存。此外,為了在有限的封裝中加載更多容量,最小化 DRAM 單芯片尺寸的工藝技術(shù),以及在外形尺寸內(nèi)正確放置組件并確保按照規(guī)格運行的設(shè)計技術(shù)也至關(guān)重要。
三星上個月發(fā)布了 32Gb DDR5 DRAM 內(nèi)存,通過相同封裝尺寸的架構(gòu)改進(jìn),實現(xiàn)了 16Gb DRAM 容量的兩倍,從而無需 TSV 工藝即可制造 128GB 模塊。三星表示,這使得降低成本、提高生產(chǎn)率成為可能,同時功耗也降低了 10%。
TSV(Through Silicon Via,硅通孔):一種封裝技術(shù),可以使芯片變薄,鉆出數(shù)百個小孔,并連接垂直穿過頂部和底部芯片中的孔的電極。
三星官方在博客最后表示,未來將繼續(xù)克服技術(shù)限制,開發(fā)出多種世界上前所未有的內(nèi)存解決方案產(chǎn)品。特別是三星計劃基于 10 納米以下工藝,開發(fā) AI 時代的超高性能、超高容量、超低功耗的存儲器產(chǎn)品,并號稱“將是 DRAM 市場的一個重大拐點”。
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