IT之家 11 月 10 日消息，美光公司近日發(fā)布了顯存（VRAM）路線圖，涵蓋 GDDR7 和 HBM4E 內(nèi)存技術(shù)。
美光目前推出的 GDDR6X 顯存最高運(yùn)行帶寬為 24Gbps，容量為 16Gb dies，速度為 96GB/sec。
根據(jù)美光的路線圖，2024 年 GDDR7 顯存運(yùn)行帶寬為 32Gbps，容量為 16-24Gb die，速度為 128GB/sec；此外 2026 年會(huì)推出更快的 GDDR7 顯存，帶寬為 36Gbps，容量采用超過 24Gb die，速度為 144GB/sec。
英偉達(dá)的下一代 GeForce RTX 50 系列有望使用美光的 GDDR7 顯存，采用 32Gbps 帶寬；下一代 GeForce RTX 5090 顯卡應(yīng)該有一個(gè) 512 位內(nèi)存總線，由于 GDDR7 內(nèi)存速度更快，內(nèi)存帶寬高達(dá) 1.5TB / 秒。IT之家在此附上圖片如下：
美光還將在 2024 年推出 8 層堆疊的 AI 和數(shù)據(jù)中心專用 HBM3E 內(nèi)存；將于 2024 年底到 2025 年年初推出 12 層堆疊的 HBM3E 。
HBM3E 將提供高達(dá) 24GB 的容量和超過 1.2TB / 秒的內(nèi)存帶寬，而較新的 12 層 HBM3E 內(nèi)存帶寬同樣為 1.2TB / 秒，不過容量擴(kuò)展到 36GB。
之后，美光將在 12-High 和 16-High 堆棧上擁有下一代 HBM4 內(nèi)存，這些內(nèi)存將達(dá)到 36GB 到 48GB 的更高容量，到 2025 年底將超過 1.5TB / 秒的內(nèi)存帶寬。
到 2027 年，HBM4E 將在 12-High 和 16-High 堆棧中推出 48GB 至 64GB 容量，內(nèi)存帶寬超過 2TB / 秒。
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