IT之家 11 月 10 日消息,美光公司近日發(fā)布了顯存(VRAM)路線圖,涵蓋 GDDR7 和 HBM4E 內(nèi)存技術(shù)。
美光目前推出的 GDDR6X 顯存最高運(yùn)行帶寬為 24Gbps,容量為 16Gb dies,速度為 96GB/sec。
根據(jù)美光的路線圖,2024 年 GDDR7 顯存運(yùn)行帶寬為 32Gbps,容量為 16-24Gb die,速度為 128GB/sec;此外 2026 年會(huì)推出更快的 GDDR7 顯存,帶寬為 36Gbps,容量采用超過 24Gb die,速度為 144GB/sec。
英偉達(dá)的下一代 GeForce RTX 50 系列有望使用美光的 GDDR7 顯存,采用 32Gbps 帶寬;下一代 GeForce RTX 5090 顯卡應(yīng)該有一個(gè) 512 位內(nèi)存總線,由于 GDDR7 內(nèi)存速度更快,內(nèi)存帶寬高達(dá) 1.5TB / 秒。IT之家在此附上圖片如下:
美光還將在 2024 年推出 8 層堆疊的 AI 和數(shù)據(jù)中心專用 HBM3E 內(nèi)存;將于 2024 年底到 2025 年年初推出 12 層堆疊的 HBM3E 。
HBM3E 將提供高達(dá) 24GB 的容量和超過 1.2TB / 秒的內(nèi)存帶寬,而較新的 12 層 HBM3E 內(nèi)存帶寬同樣為 1.2TB / 秒,不過容量擴(kuò)展到 36GB。
之后,美光將在 12-High 和 16-High 堆棧上擁有下一代 HBM4 內(nèi)存,這些內(nèi)存將達(dá)到 36GB 到 48GB 的更高容量,到 2025 年底將超過 1.5TB / 秒的內(nèi)存帶寬。
到 2027 年,HBM4E 將在 12-High 和 16-High 堆棧中推出 48GB 至 64GB 容量,內(nèi)存帶寬超過 2TB / 秒。
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